特許
J-GLOBAL ID：200903077903294513

耐熱性炭素膜を有する成形用部材、その製造方法、及びその製造装置

発明者：
北川 晃幸

北川 晃幸 について

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山田 公

山田 公 について

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松尾 二郎

松尾 二郎 について

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豊田 紀章

豊田 紀章 について


出願人/特許権者：
株式会社野村鍍金

株式会社野村鍍金 について


代理人 (1件)： 岩谷 龍
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-412484
公開番号（公開出願番号）：特開2005-169816
出願日： 2003年12月10日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：
【課 題】 極薄膜厚であり、高い耐熱性を持つ炭素膜で被覆されている成形用部材であって、基材表面が高硬度であり、耐摩耗性、熱的安定性、高温離型性、化学的安定性並びに表面平坦性に優れ、炭素膜と基材との密着性に優れ、かつ高温成形性、ナノメートルオーダ単位の精密成形性並びに離型性に優れた成形用部材、その製造方法、及びその製造方法に使用できる製造装置の提供。 【解決手段】基材表面に、ガスクラスターイオンビーム援用照射下に、ケイ素、ケイ素炭化物、ケイ素酸化物、ケイ素窒化物、クロム、クロム炭化物、クロム酸化物、クロム窒化物、タングステン、タングステン炭化物、タングステン酸化物、タングステン窒化物、チタン、チタン炭化物、チタン酸化物、チタン窒化物、モリブデン、モリブデン炭化物、モリブデン酸化物及びモリブデン窒化物のうち1種類または2種類以上を含有する中間層膜を形成し、ついでガスクラスターイオンビーム援用照射下に、炭素膜を中間層膜上に形成することを特徴とする成形用部材の製造方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
ガスクラスターイオンビーム援用照射下に、ケイ素、ケイ素炭化物、ケイ素酸化物、ケイ素窒化物、クロム、クロム炭化物、クロム酸化物、クロム窒化物、タングステン、タングステン炭化物、タングステン酸化物、タングステン窒化物、チタン、チタン炭化物、チタン酸化物、チタン窒化物、モリブデン、モリブデン炭化物、モリブデン酸化物及びモリブデン窒化物のうち1種類または2種類以上を含有する中間層膜を基材表面に形成し、ついでガスクラスターイオンビーム援用照射下に、炭素膜を中間層膜上に形成することを特徴とする成形用部材の製造方法。
IPC (7件)：
B32B9/00 ,  C03B11/00 ,  C03B40/00 ,  C04B41/89 ,  C04B41/90 ,  C23C28/00 ,  G11B7/26
FI (7件)：
B32B9/00 A ,  C03B11/00 M ,  C03B40/00 ,  C04B41/89 J ,  C04B41/90 A ,  C23C28/00 B ,  G11B7/26 511
Fターム (54件)：
4F100AA12A ,  4F100AA15A ,  4F100AA16A ,  4F100AA20A ,  4F100AA22A ,  4F100AA37C ,  4F100AB02B ,  4F100AB11A ,  4F100AB12A ,  4F100AB13A ,  4F100AB13B ,  4F100AB15B ,  4F100AB16B ,  4F100AB17B ,  4F100AB20A ,  4F100AB31B ,  4F100AD00B ,  4F100AT00B ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10B ,  4F100BA10C ,  4F100DD07 ,  4F100EH71B ,  4F100EJ52A ,  4F100EJ52B ,  4F100GB90 ,  4F100JJ03 ,  4F100JK12 ,  4F100JK12B ,  4F100JK15 ,  4G015HA01 ,  4K044AA02 ,  4K044AA09 ,  4K044AA13 ,  4K044AB10 ,  4K044BA02 ,  4K044BA06 ,  4K044BA12 ,  4K044BA15 ,  4K044BA18 ,  4K044BA19 ,  4K044BB03 ,  4K044BB04 ,  4K044BC01 ,  4K044BC02 ,  4K044BC06 ,  4K044BC11 ,  4K044CA13 ,  4K044CA14 ,  4K044CA18 ,  5D121AA02 ,  5D121DD01 ,  5D121DD18
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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