微小構造及びその製造方法、及び接続配線構造の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-081010
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273064
出願日： 1994年03月28日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】微小な構造であっても、機械的・電気的耐性が良好で、よってエレクトロマイグレーション耐性等の耐性が良好な配線構造に適用でき、かつ、マイクロマシン用構造にも好ましく適用できる微小構造及びその製造方法、及び上記の如き接続配線構造の形成方法を提供する。【構成】 ?@予め溝部3を形成し、該溝部3内に金属膜41で埋め込みを行い、必要に応じて溝部(接続孔)以外の金属膜は除去し、さらにその上に接続孔を形成してその内部を金属膜で埋め込むこと等により該溝部3上のみに金属膜42を形成する。?A絶縁膜2に形成した溝部3内に金属膜41を充填した部分を有し、さらに該溝部3内の金属面の上部全面に形成した溝部内に同一種の金属膜42を充填した部分を有し、さらにその溝部内の金属面の上部全面に形成した溝部内に同一種の金属膜を充填した部分を有することを特徴とする3段構造の微小構造。

請求項（抜粋）：

絶縁膜に形成した溝部内に金属膜を充填した部分を有し、さらに該溝部内の金属面の上部全面に形成した溝部内に同一種の金属膜を充填した部分を有し、さらにその溝部内の金属面の上部全面に形成した溝部内に同一種の金属膜を充填した部分を有することを特徴とする3段構造の微小構造。

IPC (4件)：

H01L 21/28 , H01L 21/768 , H02N 1/00 , H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平4-211121
特開昭61-212042
半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-255324 出願人：株式会社日立製作所

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