半導体電気特性の測定装置と測定方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-167755
公開番号（公開出願番号）：特開2007-333640
出願日： 2006年06月16日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：

【課題】本発明は、単にキャリアの寿命や拡散長を求めるのではなく、直接的に半導体のキャリアの移動度等の電気特性を測定するものであって、高度な時間分解能や高度な演算機能を必要としない半導体電気特性の測定装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の半導体電気特性の測定装置は、試料である半導体の表面に対して励起光によりキャリアを励起させるための励起光照射手段と、該励起光が照射された全範囲を含む領域に対して、その領域における電界の向きが一方向となるように電界を印加するための電界印加手段と、該励起光が照射された全範囲を含む領域、またはこの領域に相当する半導体の裏面に対して、観測光を照射するための観測光照射手段と、該観測光が該半導体により反射された反射光または透過された透過光を受光するための受光手段と、前記各手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

試料である半導体の表面に対して励起光によりキャリアを励起させるための励起光照射手段と、該励起光が照射された全範囲を含む領域に対して、その領域における電界の向きが一方向となるように電界を印加するための電界印加手段と、該励起光が照射された全範囲を含む領域、またはこの領域に相当する半導体の裏面に対して、観測光を照射するための観測光照射手段と、該観測光が該半導体により反射された反射光または透過された透過光を受光するための受光手段と、前記各手段を制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする、半導体電気特性の測定装置。

IPC (3件)：

G01N 21/00 , G01N 21/35 , H01L 21/66

FI (3件)：

G01N21/00 B , G01N21/35 Z , H01L21/66 L

Fターム (17件)：

2G059AA03 , 2G059EE02 , 2G059FF01 , 2G059GG01 , 2G059GG03 , 2G059GG07 , 2G059GG08 , 2G059HH01 , 2G059HH06 , 2G059JJ12 , 2G059KK04 , 2G059MM01 , 4M106AA01 , 4M106BA05 , 4M106BA14 , 4M106CB12 , 4M106DH12

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平02-119236号公報
半導体の電気特性評価装置および電気特性評価方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-282497 出願人：株式会社栃木ニコン, 株式会社ニコン

審査官引用 (5件)

物性測定装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-279406 出願人：理化学研究所
半導体装置の評価方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-147861 出願人：富士通株式会社
半導体評価装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-258731 出願人：株式会社神戸製鋼所, ジェネシス・テクノロジー株式会社

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