特許

J-GLOBAL ID：200903078808758223

透光性正極

発明者： 渡邉 宗隆 ,  村木 典孝 ,  亀井 宏二 ,  大野 泰
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (5件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  小林 良博 ,  西山 雅也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-129399
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340797
出願日： 2005年04月27日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：

【課題】 電子線照射や高温アニールまたは酸素雰囲気下での合金化熱処理等を必要とせず、かつ良好な透光性と低接触抵抗を有する電流拡散性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用の透光性正極を提供すること。【解決手段】 p型半導体層に接するコンタクトメタル層、該コンタクトメタル層上のコンタクトメタル層よりも導電率の大きい電流拡散層および該電流拡散層上のボンディングパッド層からなることを特徴とする透光性正極。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

p型半導体層に接するコンタクトメタル層、該コンタクトメタル層上のコンタクトメタル層よりも導電率の大きい電流拡散層および該電流拡散層上のボンディングパッド層からなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子用の透光性正極。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  H01L21/28

FI (3件)：

H01L33/00 E ,  H01L33/00 C ,  H01L21/28 301B

Fターム (20件)：

4M104AA03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104GG04 ,  5F041AA03 ,  5F041AA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA83 ,  5F041CA84 ,  5F041CA85 ,  5F041CA86 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特許第2803742号公報
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法及び素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-365123   出願人：豊田合成株式会社

審査官引用 (5件)

• 窒化物系半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-145793   出願人：三洋電機株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-281170   出願人：日亜化学工業株式会社
• p型窒化物半導体の電極および前記電極を有する半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-053477   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-196790   出願人：シャープ株式会社
• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-359324   出願人：日亜化学工業株式会社