特許
J-GLOBAL ID：200903079051475640

トランジスタ及びこれの製造方法

発明者：
申 東石

申 東石 について

, 
李 化成

李 化成 について

, 
李 浩

李 浩 について

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李 承換

李 承換 について

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上野 哲嗣

上野 哲嗣 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (4件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-236925
公開番号（公開出願番号）：特開2006-060222
出願日： 2005年08月17日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：
【課題】 超高集積度で、改善された構造の不純物領域を有する半導体装置のトランジスタを製造する方法を提供することである。【解決手段】 本発明のトランジスタは、{100}面である第1表面、第1表面より低い高さを有する{100}面である第2表面、及び第1表面と第2表面との間を連結する{111}面である第3表面を有する半導体基板を含む。第1不純物領域が半導体基板の第2表面の下部に形成される。ゲート構造物が半導体基板の第1表面上に形成される。エピタキシャル層が半導体基板の第2表面及び第3表面上に形成される。第2不純物領域がゲート構造物の両側に形成される。【選択図】 図28
請求項（抜粋）：
{100}面である第1表面、前記第1表面より低い高さを有する{100}面である第2表面、及び前記第1表面と第2表面との間を連結する{111}面である第3表面を有する半導体基板と、 前記半導体基板の第2表面下部に形成された第1高濃度不純物領域と、 前記半導体基板の第1表面上に形成されたゲート構造物と、 前記半導体基板の第2表面及び第3表面上に形成されたエピタキシャル層と、 前記ゲート構造物の両側に形成された第2高濃度不純物領域と、を含むことを特徴とするトランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (2件)：
H01L29/78 301S ,  H01L29/78 301L
Fターム (36件)：
5F140AA06 ,  5F140AA18 ,  5F140AA21 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BA20 ,  5F140BD04 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG22 ,  5F140BG29 ,  5F140BG37 ,  5F140BG53 ,  5F140BH06 ,  5F140BH07 ,  5F140BH14 ,  5F140BH15 ,  5F140BH21 ,  5F140BH27 ,  5F140BH34 ,  5F140BH35 ,  5F140BK09 ,  5F140BK10 ,  5F140BK13 ,  5F140BK18 ,  5F140BK21 ,  5F140BK22
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (9件)
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