特許
J-GLOBAL ID：200903079141791533

製膜条件特定方法、製膜方法、及び膜体製造方法

発明者：
舟窪 浩

舟窪 浩 について

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本田 佳久

本田 佳久 について

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ナバトバ-ガバイン,ナタリア

ナバトバ-ガバイン,ナタリア について

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寺井 飛鳥

寺井 飛鳥 について


出願人/特許権者：
株式会社堀場製作所

株式会社堀場製作所 について


代理人 (2件)： 河野 登夫 ,  河野 英仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-280568
公開番号（公開出願番号）：特開2006-093633
出願日： 2004年09月27日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：
【課題】 付随誘電体膜の発生をコントロールして良好な高誘電体膜又は強誘電体膜を形成できる製膜条件特定の容易化及び効率化を図る。 【解決手段】 製膜条件に係る複数のパラメータ中、一つのパラメータに対しては相異するパラメータ値を設定し、他のパラメータに対しては同一の所定値を設定し、基板上に高誘電体膜又は強誘電体膜を形成した2枚の膜体を製作する。各膜体の膜特性を分光エリプソメータで解析し、解析結果を比較して付随誘電体膜の存在する割合が小さい方法の膜体を良好と判断し、良好な膜体の製作で設定したパラメータ値を特定する。以下、同様な処理を行い一つのパラメータに対する最適なパラメータ値を特定すると共に、他のパラメータに対しても同様の処理を行い、他のパラメータに対しても最適なパラメータ値を特定する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
製膜条件変数に所定値を設定して、電気的な測定に基づいた誘電率が50以上の誘電体膜を基板上に形成するステップと、 形成された膜の特性を分光エリプソメータで解析するステップと、 解析結果を基準特性値と比較するステップと、 比較結果から製膜条件変数を変更するか否かを判定するステップと を備えることを特徴とする製膜条件特定方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824
FI (3件)：
H01L21/66 P ,  H01L21/316 X ,  H01L27/10 444C
Fターム (21件)：
4M106AA01 ,  4M106AA20 ,  4M106BA20 ,  4M106CA48 ,  4M106CA70 ,  4M106DH03 ,  4M106DH12 ,  4M106DH31 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ27 ,  4M106DJ38 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF06 ,  5F058BF36 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR01 ,  5F083GA27 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083PR21
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
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