特許
J-GLOBAL ID:200903079214236045

マルチチップ型半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 河宮 治 ,  石野 正弘
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-080527
公開番号(公開出願番号):特開2006-261603
出願日: 2005年03月18日
公開日(公表日): 2006年09月28日
要約:
【課題】 低電圧プロセスで製造した半導体チップと、該半導体チップに電源を供給する、高電圧プロセスで製造した定電圧電源回路を集積した定電圧チップを、チップオンチップ形式の半導体パッケージに収納することにより、実装面積を増やすことなく入力電圧に対する高耐圧化を図ることができるマルチチップ型半導体装置及びその製造方法を得る。【解決手段】 実装用基板上に搭載した半導体チップ3と、ACアダプタ10より供給される電源を受けて、該半導体チップ3に電力を供給するための定電圧電源回路を集積した定電圧チップ2とを備え、該定電圧チップ2は、前記半導体チップ3上に重ねられた後、定電圧チップ2及び半導体チップ3は、樹脂でモールドされるようにした。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
実装用基板上に搭載された所定の機能を有する第1の半導体集積回路チップと、 外部より供給される電源を受けて、前記第1の半導体集積回路チップに電力を供給するための電源回路を集積した第2の半導体集積回路チップと、 を備え、 前記第2の半導体集積回路チップが、前記第1の半導体集積回路チップ上に重ねられた後、該第1及び第2の各半導体集積回路チップは、樹脂でモールドされることを特徴とするマルチチップ型半導体装置。
IPC (3件):
H01L 25/18 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/065
FI (1件):
H01L25/08 Z
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 特開昭63-175906号公報
審査官引用 (9件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-156197   出願人:三菱電機株式会社
  • 半導体集積回路装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-010025   出願人:シャープ株式会社
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2003-336628   出願人:沖電気工業株式会社
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