特許
J-GLOBAL ID：200903079292332425

基板処理方法及び基板処理装置

発明者：
福田 喜輝

福田 喜輝 について

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緒方 信博

緒方 信博 について

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石井 貴幸

石井 貴幸 について

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田内 啓士

田内 啓士 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 中本 菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-192587
公開番号（公開出願番号）：特開2007-134671
出願日： 2006年07月13日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：
【課題】被処理基板の周縁部に付着する塗布液の除去を確実にすると共に、処理時間の短縮が図れ、かつ、塗布液の被処理基板への再付着の防止を図れるようにした基板処理方法及びその装置を提供すること。【解決手段】スピンチャック10によって回転保持される半導体ウエハWの表面にレジスト塗布ノズル20からレジストを滴下してレジストを塗布し、ウエハに塗布されたレジストが乾燥する前に、ベベル洗浄ノズル30からウエハWの周縁部におけるベベル部4の近傍に洗浄液を供給してベベル部に付着するレジストを除去し、その後、ウエハ表面のレジスト膜を乾燥する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
被処理基板の表面に塗布膜を形成する処理を行う基板処理方法において、 塗布液を滴下した被処理基板を回転させて被処理基板表面に塗布膜を形成する塗布工程と、 上記被処理基板を回転させて被処理基板に塗布された塗布液が乾燥する前に、上記被処理基板の周縁部におけるベベル部の近傍に洗浄液を供給してベベル部の塗布液を除去する洗浄工程と、 上記洗浄工程の後に上記被処理基板の上記塗布膜を乾燥させる乾燥工程と、 を有することを特徴とする基板処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/16
FI (2件)：
H01L21/30 577 ,  G03F7/16 502
Fターム (6件)：
2H025AA18 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025EA05 ,  2H025EA10 ,  5F046JA15
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (5件)
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