特許
J-GLOBAL ID：200903079611840099
リソグラフィ装置および方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
稲葉 良幸
, 大賀 眞司
, 大貫 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-307883
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173786
出願日： 2006年11月14日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：
【課題】光学素子表面の汚染を検出し、動作分解能低下を防止できる極端紫外線(EUV)放射ビームを使用するリソグラフィ装置を提供する。【解決手段】表面プラズモン共鳴を用いて金属層を通る導波モードへの入射光の結合を検出することにより光学素子表面の汚染を検出できる計測装置を、リソグラフィ装置内に配置する。金属表面の汚染が減衰エバネッセント場を真空-金属の境界で混乱させ、表面プラズモン共鳴の生じる角度を変化させるので、共鳴角度の変化を検出することにより汚染物質の量(または厚さ)を求めることができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
表面プラズモン共鳴を用いてリソグラフィ装置内の表面の汚染を検出するように配置された計測装置が設けられているリソグラフィ装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/30 503G
, H01L21/30 531Z
5F046AA17
, 5F046BA04
, 5F046BA05
, 5F046CB02
, 5F046DB14
, 5F046DC07
, 5F046GA03
, 5F046GB01
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (12件)
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