特許
J-GLOBAL ID：200903080141615962

レーザアニール装置及びこの装置を用いた薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
西谷 輝

西谷 輝 について

, 
山本 睦

山本 睦 について

, 
武富 義尚

武富 義尚 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 大前 要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-079477
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277450
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、レーザ照射位置の位置決め精度を向上することにより、駆動回路部の特性の低下を防止しつつ、レーザアニール装置の制御が容易化し、しかもタクトの向上を図ることができ、さらに活性化工程を円滑に実施することができるレーザアニール装置及びこの装置を用いた薄膜トランジスタの製造方法の提供を目的としている。【解決手段】レーザ発振器3からのレーザ光6をガラス基板2に照射するレーザアニール装置において、上記基板2からの発光8の強度及び/又は波長を測定する照度計7を有することを特徴とするレーザアニール装置。
請求項（抜粋）：
レーザ発振器からのレーザ光を基板に照射するレーザアニール装置において、上記基板からの反射光の強度及び/又は波長を測定する光検出手段を有することを特徴とするレーザアニール装置。
IPC (5件)：
H01L 21/268 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L 21/268 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 F
Fターム (38件)：
2H092JA24 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092MA05 ,  2H092MA12 ,  2H092MA15 ,  2H092MA17 ,  2H092MA19 ,  2H092MA30 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  2H092PA07 ,  5F052AA02 ,  5F052BA07 ,  5F052BA18 ,  5F052BB07 ,  5F052CA10 ,  5F052DB03 ,  5F052JA01 ,  5F110AA30 ,  5F110CC01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG15 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ12 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN55 ,  5F110PP03
引用特許：
審査官引用 (12件)
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