発光装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-279547
公開番号（公開出願番号）：特開2003-195787
出願日： 2002年07月16日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
要約：

【要約】【課題】本発明は、被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的としている。また、本発明は、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、フレキシブルなフィルムにTFTを代表とする様々な素子(薄膜ダイオード、シリコンのPIN接合からなる光電変換素子やシリコン抵抗素子)を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】基板上に金属層または窒化物層11を設け、さらに前記金属層または窒化物層11に接して酸化物層12を設け、さらに積層成膜または500°C以上の熱処理を行っても、物理的手段で容易に酸化物層12の層内または界面において、きれいに分離することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に金属層または窒化物層を形成する工程と、前記金属層または窒化物層上に酸化シリコン層を形成する工程と、前記酸化シリコン層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に発光素子を形成する工程と、前記発光素子を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に支持体を接着した後、該支持体を基板から物理的手段により前記酸化シリコン層の層内または界面において剥離する工程と、前記絶縁層または前記酸化シリコン層に転写体を接着し、前記支持体と前記転写体との間に前記発光素子を挟む工程とを有することを特徴とする発光装置の作製方法。

IPC (12件)：

G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 , G02F 1/13 101 , G02F 1/1333 500 , G02F 1/1368 , G09F 9/00 342 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H05B 33/04 , H05B 33/10 , H05B 33/14 , H05B 33/22

FI (11件)：

G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 Z , G02F 1/13 101 , G02F 1/1333 500 , G02F 1/1368 , G09F 9/00 342 Z , H05B 33/04 , H05B 33/10 , H05B 33/14 A , H05B 33/22 Z , H01L 29/78 627 D

Fターム (115件)：

2H088FA18 , 2H088FA24 , 2H088FA28 , 2H088FA29 , 2H088FA30 , 2H088HA01 , 2H088HA06 , 2H088HA08 , 2H088MA01 , 2H088MA09 , 2H088MA20 , 2H090JA00 , 2H090JA05 , 2H090JB03 , 2H090LA04 , 2H092GA11 , 2H092GA17 , 2H092GA21 , 2H092GA28 , 2H092GA30 , 2H092JA24 , 2H092JA27 , 2H092JA45 , 2H092MA01 , 2H092MA29 , 2H092MA31 , 2H092NA01 , 2H092NA11 , 2H092NA21 , 2H092NA25 , 2H092NA27 , 2H092PA01 , 2H092PA06 , 3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007BA07 , 3K007CA06 , 3K007DB03 , 3K007EA00 , 3K007FA01 , 3K007FA02 , 5C094AA42 , 5C094AA43 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094GB10 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD13 , 5F110DD15 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110FF04 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110GG51 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ07 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HM15 , 5F110NN01 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110NN73 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110PP38 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ16 , 5F110QQ23 , 5F110QQ25 , 5F110QQ28 , 5G435AA17 , 5G435BB05 , 5G435CC09 , 5G435KK05 , 5G435KK10

引用特許：

審査官引用 (9件)

薄膜デバイスの転写・製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-375812 出願人：セイコーエプソン株式会社
化合物半導体基板、及び化合物半導体基板の製造方法、並びに発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-295140 出願人：シャープ株式会社
複合半導体基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-283706 出願人：宇部興産株式会社

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