特許
J-GLOBAL ID：200903080277798939
磁気ランダム・アクセス・メモリとその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-178340
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019457
出願日： 2003年06月23日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】非書き込み動作時の自由強磁性層の磁化の向きを安定化しつつ、素子特性のばらつきを小さくする。【解決手段】自由強磁性層8に配線層17を挟んで対向する強磁性層4を設ける。非書き込み動作時において、自由強磁性層8と強磁性層4とは静磁的に結合し、磁化の方向が安定化する。自由強磁性層8は、強磁性層4と相似形であり、かつ異なる面積で形成される。これにより、自由強磁性層8の中心位置が強磁性層4の中心位置からずれた場合に、書き込みに必要とされる電流に大きなばらつきが生じることが防止される。特に、基板に近い強磁性層4が自由強磁性層8よりも大きいと、製造プロセスにおいて平坦化することなく、自由強磁性層8を安定的に強磁性層4の上方に形成することが可能となる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、
第1強磁性層と、
前記基板に対して前記第1強磁性層と同じ側に設けられたMTJ(Magnetic Tunnel Junction)素子と、
前記第1強磁性層と前記MTJ素子との間に設けられた配線層とを具備し、
前記MTJ素子は、前記配線層に対向する第2強磁性層を備え、
前記第1強磁性層を前記基板の表面に垂直な方向に投影した第1射影と前記第2強磁性層を前記表面に垂直な方向に投影した第2射影とは面積が異なり、前記第1射影と前記第2射影とのうちの一方は他方を含む
磁気ランダム・アクセス・メモリ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F083FZ10
, 5F083GA27
, 5F083JA36
, 5F083JA37
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083PR03
, 5F083PR04
