特許
J-GLOBAL ID：200903080302186498
窒化物半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-114205
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012903
出願日： 1999年04月21日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】本発明は窒化物半導体素子(InxAlyGa1-x-yN、0≦x、0≦y、x+y≦1)に係わり、特に形成された半導体特性を向上させつつ、特性バラツキの少ない窒化物半導体素子を提供することにある。【解決手段】基板と活性層との間に基板側から順にn型の第1の窒化物半導体層と、n型不純物を有しn型電極が形成される第2の窒化物半導体と、n型の第3の窒化物半導体層とを有する窒化物半導体素子である。特に、第2の窒化物半導体のn型不純物がSnであると共に第3の窒化物半導体がn型不純物無添加層若しくは第2の窒化物半導体よりもSn含有量が少ないことの窒化物半導体素子である。
請求項（抜粋）：
基板と活性層との間に基板側から順にn型の第1の窒化物半導体層と、n型不純物を有しn型電極が形成される第2の窒化物半導体層と、n型の第3の窒化物半導体層とを有する窒化物半導体素子であって、前記第2の窒化物半導体層のn型不純物がSnであると共に第3の窒化物半導体層はn型不純物無添加層、若しくは第2の窒化物半導体層よりもSn含有量が少ないことを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01S 3/18 673
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示
前のページに戻る
