特許
J-GLOBAL ID:200903080323619440

表示デバイス用Al合金膜、表示デバイス、及びスパッタリングターゲット

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 植木 久一 ,  菅河 忠志 ,  二口 治 ,  伊藤 浩彰
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-168298
公開番号(公開出願番号):特開2008-160058
出願日: 2007年06月26日
公開日(公表日): 2008年07月10日
要約:
【課題】バリアメタルを設けず、導電性酸化膜とAl合金膜を直接接続させても、導電性酸化膜とAl合金膜との間の密着性が高く、コンタクト抵抗率が低く、好ましくは、ドライエッチング性にも優れたAl合金膜を提供する。【解決手段】基板上にて、導電性酸化膜に直接接続する表示デバイス用Al合金膜であって、Al合金膜は、Geを0.05〜0.5原子%含有し、Gdおよび/またはLaを合計で0.05〜0.45原子%含有する表示デバイス用Al合金膜である。【選択図】なし
請求項(抜粋):
基板上にて、導電性酸化膜に直接接続する表示デバイス用Al合金膜であって、該Al合金膜は、Geを0.05〜0.5原子%含有し、Gdおよび/またはLaを合計で0.05〜0.45原子%含有することを特徴とする表示デバイス用Al合金膜。
IPC (9件):
H01L 21/28 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/285 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  G02F 1/134 ,  G02F 1/136 ,  G09F 9/30
FI (11件):
H01L21/28 301R ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 612C ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 616U ,  H01L21/285 S ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 330Z
Fターム (82件):
2H092GA11 ,  2H092GA28 ,  2H092HA04 ,  2H092HA06 ,  2H092JA24 ,  2H092JA41 ,  2H092JA45 ,  2H092KA18 ,  2H092MA05 ,  2H092MA15 ,  2H092MA18 ,  2H092NA27 ,  4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB16 ,  4M104BB38 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD37 ,  4M104DD40 ,  4M104DD65 ,  4M104FF08 ,  4M104FF17 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104HH03 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  5C094AA21 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094AA46 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094EA10 ,  5C094FB12 ,  5C094GB10 ,  5C094JA01 ,  5C094JA05 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE06 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK06 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110HM18 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110PP03 ,  5F110PP35
引用特許:
出願人引用 (7件)
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