特許
J-GLOBAL ID:200903080323619440
表示デバイス用Al合金膜、表示デバイス、及びスパッタリングターゲット
発明者:
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (4件):
植木 久一
, 菅河 忠志
, 二口 治
, 伊藤 浩彰
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-168298
公開番号(公開出願番号):特開2008-160058
出願日: 2007年06月26日
公開日(公表日): 2008年07月10日
要約:
【課題】バリアメタルを設けず、導電性酸化膜とAl合金膜を直接接続させても、導電性酸化膜とAl合金膜との間の密着性が高く、コンタクト抵抗率が低く、好ましくは、ドライエッチング性にも優れたAl合金膜を提供する。【解決手段】基板上にて、導電性酸化膜に直接接続する表示デバイス用Al合金膜であって、Al合金膜は、Geを0.05〜0.5原子%含有し、Gdおよび/またはLaを合計で0.05〜0.45原子%含有する表示デバイス用Al合金膜である。【選択図】なし
請求項(抜粋):
基板上にて、導電性酸化膜に直接接続する表示デバイス用Al合金膜であって、該Al合金膜は、Geを0.05〜0.5原子%含有し、Gdおよび/またはLaを合計で0.05〜0.45原子%含有することを特徴とする表示デバイス用Al合金膜。
IPC (9件):
H01L 21/28
, H01L 29/786
, H01L 21/285
, H01L 29/417
, H01L 29/423
, H01L 29/49
, G02F 1/134
, G02F 1/136
, G09F 9/30
FI (11件):
H01L21/28 301R
, H01L29/78 616V
, H01L29/78 612C
, H01L29/78 617M
, H01L29/78 616U
, H01L21/285 S
, H01L29/50 M
, H01L29/58 G
, G02F1/1343
, G02F1/1368
, G09F9/30 330Z
Fターム (82件):
2H092GA11
, 2H092GA28
, 2H092HA04
, 2H092HA06
, 2H092JA24
, 2H092JA41
, 2H092JA45
, 2H092KA18
, 2H092MA05
, 2H092MA15
, 2H092MA18
, 2H092NA27
, 4M104AA01
, 4M104AA08
, 4M104AA09
, 4M104BB02
, 4M104BB16
, 4M104BB38
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD08
, 4M104DD16
, 4M104DD37
, 4M104DD40
, 4M104DD65
, 4M104FF08
, 4M104FF17
, 4M104GG09
, 4M104GG14
, 4M104HH03
, 4M104HH15
, 4M104HH16
, 5C094AA21
, 5C094AA43
, 5C094AA44
, 5C094AA46
, 5C094BA03
, 5C094BA43
, 5C094EA10
, 5C094FB12
, 5C094GB10
, 5C094JA01
, 5C094JA05
, 5F110AA16
, 5F110BB01
, 5F110CC02
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD17
, 5F110EE06
, 5F110EE23
, 5F110EE44
, 5F110FF02
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG15
, 5F110GG25
, 5F110GG45
, 5F110HJ01
, 5F110HJ04
, 5F110HJ13
, 5F110HK06
, 5F110HK09
, 5F110HK16
, 5F110HK21
, 5F110HK25
, 5F110HK33
, 5F110HK35
, 5F110HL06
, 5F110HL07
, 5F110HL23
, 5F110HM18
, 5F110NN03
, 5F110NN12
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN35
, 5F110PP03
, 5F110PP35
引用特許:
前のページに戻る