特許
J-GLOBAL ID：200903080513001095
発光ダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寺田 實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-025054
公開番号（公開出願番号）：特開2008-192790
出願日： 2007年02月05日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：
【課題】短波長領域でのAlGaInP系半導体発光ダイオードの発光効率向上と、長時間駆動時のLED特性の劣化を改善することができるAlGaInP系発光ダイオードを提供することを目的とする。【解決手段】n型クラッド層、量子井戸構造で構成される発光層、p型クラッド層、さらに発光層とp型クラッド層との間に中間層を有する半導体発光素子であって、これらは組成式(AlXGa1-X)YIn1-YP(0≦X≦1,0<Y≦1)から成り、その量子井戸構造の障壁層の組成が(AlXGa1-X)YIn1-YP(0.5<X≦1)であることを特徴とする発光ダイオードである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
組成式(AlXGa1-X)YIn1-YP(0≦X≦1,0<Y≦1)から成るn型クラッド層、量子井戸構造で構成される発光層、p型クラッド層、さらに発光層とp型クラッド層との間に中間層を有する半導体発光素子において、量子井戸構造の障壁層の組成が(AlXGa1-X)YIn1-YP(0.5<X≦1)であることを特徴とする発光ダイオード。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
5F041AA03
, 5F041AA43
, 5F041AA44
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA08
, 5F041CA23
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA37
, 5F041CA57
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA77
, 5F041CB36
出願人引用 (2件)
-
特許第3373561号公報
-
特許第3732626号公報
審査官引用 (9件)
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