特許
J-GLOBAL ID：200903064806940635
化合物半導体発光ダイオードおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
福田 賢三
, 福田 伸一
, 福田 武通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-197009
公開番号（公開出願番号）：特開2007-019124
出願日： 2005年07月06日
公開日（公表日）： 2007年01月25日
要約：
【課題】 発光部にストレスを掛けず、結晶欠陥の発生も抑制でき、また発光部と支持体層との接合強度を向上させることができ、さらに接合界面での電気抵抗を低減して順方向電圧(Vf)を向上させることができ、逆方向電圧も高くなり、高輝度化を実現することができる化合物半導体発光ダイオードを提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、燐化アルミニウム・ガリウム・インジウムから成る発光層133を含むとともに各構成層がIII-V族化合物半導体からなる発光部13と、発光部13の一方の最表層135に接合され発光層133から出射される発光を透過する透明な支持体層14とを有する化合物半導体発光ダイオードにおいて、支持体層14と発光部13の一方の最表層135との間に形成される接合層141における酸素原子の濃度が、1×1020cm-3以下である、ことを特徴としている。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
燐化アルミニウム・ガリウム・インジウム(組成式(AlXGa1-X)YIn1-YP;0≦X≦1,0<Y≦1)から成る発光層を含むとともに各構成層がIII-V族化合物半導体からなる発光部と、発光部の一方の最表層に接合され発光層から出射される発光を透過する透明な支持体層とを有する化合物半導体発光ダイオードにおいて、
上記支持体層と上記発光部の一方の最表層との間に形成される接合層における酸素原子の濃度が、1×1020cm-3以下である、
ことを特徴とする化合物半導体発光ダイオード。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F041AA03
, 5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA37
, 5F041CA65
, 5F041CA71
, 5F041CA74
, 5F041CA77
出願人引用 (14件)
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特許第3230638号公報
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発光ダイオードの製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-064528
出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
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発光ダイオードとその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-107502
出願人：國聯光電科技股ふん有限公司
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審査官引用 (10件)
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引用文献：
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