特許
J-GLOBAL ID：200903080733397640
半導体記憶素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-141643
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335496
出願日： 1997年05月30日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 記憶データが不揮発性で、特性ばらつきが少なく、高速で繰り返し書き換えできる半導体記憶素子を提供する。【解決手段】 基板1上に形成されたソース領域5,ドレイン領域7およびそのソース領域5とドレイン領域7とを接続するチャネル領域6と、チャネル領域6とゲート電極11との間に形成されたゲート絶縁膜8とを備える。上記ソース領域5,ドレイン領域7およびチャネル領域6は、基板1上に2次元的に配列された球状の結晶粒からなり、互いに隣接する結晶粒が導通状態になるように接続された結晶粒集合体20である。上記チャネル領域6内に電流経路以外の領域に少なくとも1つのキャリア閉じ込め領域を有する。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に半導体材料で形成されたソース領域,ドレイン領域および上記ソース領域と上記ドレイン領域とを接続するチャネル領域と、上記チャネル領域内に電流経路以外の領域に形成された少なくとも1つのキャリア閉じ込め領域と、上記チャネル領域とゲート電極との間に形成された絶縁膜とを有する半導体記憶素子において、上記チャネル領域は、上記絶縁性基板上に2次元的に配列された球状の結晶粒からなり、互いに隣接する上記結晶粒が導通状態になるように接続された結晶粒集合体であることを特徴とする半導体記憶素子。
IPC (5件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/10 451
, H01L 29/66
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 451
, H01L 29/66
