特許
J-GLOBAL ID：200903084894425746
半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-038588
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294534
出願日： 1998年02月20日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【課題】 高出力動作時においても、素子特性が劣化せず、十分な寿命を得るとともに低雑音特性を維持することができる半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 n-GaAs基板101上に、n-Al0.5Ga0.5Asクラッド層102、ノンドープ量子井戸活性層103、p-Al0.5Ga0.5As第1クラッド層104、p-Al0.2Ga0.8As光ガイド層105、p-Al0.14Ga0.86Asエッチングストッパ層106、p-Al0.5Ga0.5As第2クラッド層107及びp-GaAsキャップ層108を順次積層成長させ、p-AlGaAs第2クラッド層107及びp-GaAsキャップ層108をリッジ形状に加工し、n-Al0.7Ga0.3As電流阻止層109をリッジ部両側面を埋め込むように形成し、p-GaAsコンタクト層110を積層し、最後にオーミック電極を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、下クラッド層、活性層、第1上クラッド層、光ガイド層、エッチングストッパ層及び第2上クラッド層を含む複数の半導体層が形成され、該第2上クラッド層にストライプ状の開口を有する電流狭窄部が形成された半導体レーザ素子において、該光ガイド層は、該エッチングストッパ層と該活性層との間に配置され、該光ガイド層のバンドギャップは、該第1上クラッド層のバンドギャップより小さく、かつ該エッチングストッパ層のバンドギャップより大きく、該エッチングストッパ層又は該光ガイド層と該エッチングストッパ層の積層構造が、発振レーザ光に対して可飽和吸収効果を有する半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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