特許
J-GLOBAL ID:200903081014694043
露光装置及び半導体装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
大西 健治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-107456
公開番号(公開出願番号):特開2000-299274
出願日: 1999年04月15日
公開日(公表日): 2000年10月24日
要約:
【要約】【解決手段】 本発明は、照明光学系からの光を絞って細長いスリット光とするスリットと、転写パターンを有し、スリット光を受け取り転写パターンに対応した光にするマスクを、光軸と垂直方向に移動自在に支持するマスクステージと、マスクからの光を縮小する縮小投影レンズと、縮小投影レンズからの光を拡張するビームエキスパンダと、ビームエキスパンダからの光を半導体球上に集光させる集光ミラーと、半導体球を回転可能に支持する手段とを有することを特徴とする。【効果】 本発明では、シリコン球に対するミラーの位置決めが容易となる。また転写パターンを連続的に形成できるので、ICを微細化する上で利点が高い露光装置を提供できる。
請求項(抜粋):
照明光学系からの光を絞って細長いスリット光とするスリットと、転写パターンを有し、前記スリット光を受け取り前記転写パターンに対応した光にするマスクを、光軸と垂直方向に移動自在に支持するマスクステージと、前記マスクからの光を縮小する縮小投影レンズと、前記縮小投影レンズからの光を拡張するビームエキスパンダと、前記ビームエキスパンダからの光を半導体球上に集光させる集光ミラーと、前記半導体球を回転可能に支持する手段とを有する露光装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 21/30 514 C
, G03F 7/24 H
Fターム (13件):
5F046BA04
, 5F046BA05
, 5F046CB02
, 5F046CB03
, 5F046CB05
, 5F046CB12
, 5F046CB23
, 5F046CB27
, 5F046CC01
, 5F046CC03
, 5F046CC13
, 5F046CC15
, 5F046CC20
引用特許:
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