特許

J-GLOBAL ID：200903081074630320

ダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法

発明者： 中村 恭子 ,  チュウ チャオキョン ,  田中 勝己
出願人/特許権者： 国立大学法人 電気通信大学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-106493
公開番号（公開出願番号）：特開2008-260670
出願日： 2007年04月13日
公開日（公表日）： 2008年10月30日
要約：

【課題】 本発明は、触媒を用いずに、DLCを作製することで、触媒の不均一な堆積に影響されない、より表面平滑な膜を作製するダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明によれば、サファイア単結晶を含む基体を、炭化水素ガス含有雰囲気中で1000°C以上に加熱することにより、基体の表面上に炭化水素ガスの熱分解によるダイヤモンドライクカーボン膜を形成することができるので、触媒の不均一な堆積に影響されない、より表面平滑な膜を作製することができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

サファイア単結晶を含む基体を、炭化水素ガス含有雰囲気中で1000°C以上に加熱することにより、前記基体の表面上に、炭化水素ガスの熱分解によるダイヤモンドライクカーボン膜を形成する工程を有することを特徴とするダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

IPC (2件)：

C01B 31/02 ,  C23C 16/27

FI (2件)：

C01B31/02 101Z ,  C23C16/27

Fターム (27件)：

4G146AA05 ,  4G146AB07 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC03 ,  4G146BC23 ,  4G146BC26 ,  4G146BC34A ,  4G146BC34B ,  4G146BC35A ,  4G146BC36A ,  4G146BC37A ,  4G146BC37B ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030CA05 ,  4K030CA17 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11

引用特許：

出願人引用 (4件)

• ダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-164627   出願人：大阪府
• 特許第2939272号明細書
  
• 転移体の副生を抑制した(R)-2-ヒドロキシ-1-フェノキシプロパン誘導体の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-095938   出願人：鐘淵化学工業株式会社
• 電子放出源及び製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-078476   出願人：三菱鉛筆株式会社

審査官引用 (5件)

• 特表平3-504849
  
• 特開昭62-103367
  
• ダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-036870   出願人：国立大学法人電気通信大学
• 転がり軸受
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-010157   出願人：光洋精工株式会社
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-280654   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

引用文献：

審査官引用 (2件)

• INVESTIGATION OF CARBON PHASES IN DIAMONDAND DIAMOND.LIKE CARBON HF CVD FILMS BYRAMAN SPECTROSCOPY
• Physical properties of a:DLC films and their dependence on parameters of deposition and type of subs