ダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：三好秀和 , 高橋俊一 , 勝治人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-036870
公開番号（公開出願番号）：特開2005-226162
出願日： 2005年02月14日
公開日（公表日）： 2005年08月25日
要約：

【課題】可変バンドギャップにより次世代半導体材料として期待されているダイヤモンドライクカーボン膜は、プラズマCVDやパルスレーザ蒸着により成膜されていたが、高真空下での成膜であるので、設備が大掛かりになり、また生産性も高いとはいえなかった。【解決手段】基体の表面上に、触媒作用を有する遷移金属から選ばれる1種又は2種類以上を複合した金属化合物を含有する溶液を塗布し、この基体の表面上に前記金属化合物を形成させた後に、前記金属化合物が表面上に形成された基体を、炭化水素ガス含有雰囲気中で1400°C以上に加熱する。これにより、常圧において、前記基体の表面上に、炭化水素ガスの熱分解によるダイヤモンドライクカーボン膜を形成することができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

基体の表面上に、触媒作用を有する遷移金属から選ばれる1種又は2種類以上を複合した金属化合物を含有する溶液を塗布し、この基体の表面上に前記金属化合物を形成させる工程と、前記金属化合物が表面上に形成された基体を、炭化水素ガス含有雰囲気中で1400°C以上に加熱することにより、前記基体の表面上に、炭化水素ガスの熱分解によるダイヤモンドライクカーボン膜を形成する工程と、を有することを特徴とするダイヤモンドライクカーボン膜の製造方法。

IPC (2件)：

C23C16/27 , C30B29/04

FI (2件)：

C23C16/27 , C30B29/04 Q

Fターム (11件)：

4G077AA03 , 4G077BA03 , 4G077DB07 , 4G077DB21 , 4G077EA01 , 4G077EE06 , 4K030AA09 , 4K030DA02 , 4K030FA10 , 4K030HA06 , 4K030JA10

引用特許：

出願人引用 (4件)

ダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-164627 出願人：大阪府
特許第2939272号明細書
転移体の副生を抑制した(R)-2-ヒドロキシ-1-フェノキシプロパン誘導体の製造法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-095938 出願人：鐘淵化学工業株式会社

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審査官引用 (8件)

特表平3-504849
ダイヤモンド状炭素薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-168682 出願人：積水化学工業株式会社
特開昭58-091100

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