半導体素子のヒューズ部及びその形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-352715
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185626
出願日： 2000年11月20日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：

【要約】【課題】半導体素子のヒューズ部及びその形成方法を提供する。【解決手段】ヒューズライン124上部にガードリング開口部の蝕刻停止膜を形成し、周辺回路のコンタクトホールを形成するとき、蝕刻停止膜を利用してガードリング開口部を形成する。全面に上層配線を形成するための導電物質層を形成してガードリング開口部に蒸着された導電物質を除去して露出された蝕刻停止膜を除去し、全面にパッシベーション膜144を蒸着することによりガードリング開口部を充填するパッシベーション膜144からなるガードリングを形成する。工程の追加なしにガードリングを形成でき、層間絶縁膜126、136、140の界面を通した湿気の侵入を効果的に防止する。さらに、ガードリング開口部を周辺回路のコンタクトホールを形成するときに形成するので、ガードリング形成の写真蝕刻工程を別に設ける必要がなく、生産性が向上する。

請求項（抜粋）：

多層金属配線構造を有する半導体素子のヒューズ部であって、ヒューズラインと、前記ヒューズライン上部に形成され、前記多層金属配線の金属間絶縁膜をなす多層の層間絶縁膜と、前記半導体素子の最上部層を取り囲むパッシベーション膜と、前記層間絶縁膜のうち前記ヒューズラインのすぐ上部の層間絶縁膜を除外したその上の層間絶縁膜に、前記ヒューズラインが切断される領域を取り囲むリング状に形成されたガードリング開口部を充填し、前記パッシベーション膜と一体に形成されたガードリングとを備え、前記パッシベーション膜及びその下部の層間絶縁膜には、前記ガードリングに取り囲まれた前記ヒューズラインが切断される領域の上部にて前記ヒューズラインのすぐ上部の層間絶縁膜が露出するヒューズ開口部が形成されることを特徴とする半導体素子のヒューズ部。

IPC (4件)：

H01L 21/82 , H01L 21/3205 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (4件)：

H01L 21/82 F , H01L 21/88 S , H01L 27/10 621 B , H01L 27/10 681 F

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平2-087552
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-224327 出願人：セイコーエプソン株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-290573 出願人：沖電気工業株式会社

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