特許
J-GLOBAL ID：200903081323566386

半導体加速度センサ

発明者：
森 恵一

森 恵一 について


出願人/特許権者：
日本航空電子工業株式会社

日本航空電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 草野 卓 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-009428
公開番号（公開出願番号）：特開2000-206138
出願日： 1999年01月18日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 冷却水がダンピング防止用の開口部を介してダイアフラムとガラス基板との間のザグリ部に流入することを一旦阻止する構成を具備する半導体加速度センサを提供する。【解決手段】 請求項1:ダイアフラム23’が形成されるダイアフラム形成シリコン基板2をザグリ部111’が形成されるガラス基板1のシリコン接合部11a’に対して接合すると共にダイアフラム23’に対して質量部3を接合し、シリコン接合部11a’に開口部112’を形成し、加速度によりダイアフラム23’が変位することにより加速度を測定する半導体加速度センサにおいて、開口部112’の外側に突起部11b’を形成した半導体加速度センサ。
請求項（抜粋）：
ダイアフラムが形成されるダイアフラム形成シリコン基板をザグリ部が形成されるガラス基板のシリコン接合部に対して接合すると共にダイアフラムに対して質量部を接合し、シリコン接合部に開口部を形成し、加速度によりダイアフラムが変位することにより加速度を測定する半導体加速度センサにおいて、開口部の外側に突起部を形成したことを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2件)：
G01P 15/08 ,  H01L 29/84
FI (2件)：
G01P 15/08 Z ,  H01L 29/84 Z
Fターム (6件)：
4M112AA02 ,  4M112CA36 ,  4M112DA16 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA13
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM