特許
J-GLOBAL ID：200903081349715827

半導体装置およびその製造方法

発明者：
西 義史

西 義史 について

, 
山内 尚

山内 尚 について

, 
土屋 義規

土屋 義規 について

, 
古賀 淳二

古賀 淳二 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (2件)： 松山 允之 ,  池上 徹真
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-073839
公開番号（公開出願番号）：特開2008-235618
出願日： 2007年03月22日
公開日（公表日）： 2008年10月02日
要約：
【課題】電子と正孔いずれがキャリアの場合でも接触抵抗が低減された電極を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板100上にn型拡散層102とp型拡散層104を備え、n型拡散層102およびp型拡散層104と絶縁層106を介して形成された第1の金属配線108、第2の金属配線110と、n型拡散層102と第1の金属配線108を電気的に接続するための第1のコンタクト電極112と、p型拡散層104と第2の金属配線110を電気的に接続するための第2のコンタクト電極113とを有し、第1のコンタクト電極112のn型拡散層102と接合する部分と、第2のコンタクト電極113のp型拡散層104と接合する部分とが、第1の金属含有導電体114と、希土類金属を含む第2の金属含有導電体116とによって形成されている半導体装置およびその製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上にn型拡散層とp型拡散層を具備する半導体装置であって、 前記n型拡散層および前記p型拡散層と絶縁層を介して形成された第1の金属配線および第2の金属配線と、 前記n型拡散層と前記第1の金属配線を電気的に接続するための第1のコンタクト電極と、 前記p型拡散層と前記第2の金属配線を電気的に接続するための第2のコンタクト電極とを有し、 前記第1のコンタクト電極の前記n型拡散層と接合する部分、および、前記第2のコンタクト電極の前記p型拡散層と接合する部分が、第1の金属含有導電体と、希土類金属を含む第2の金属含有導電体とによって形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/28 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092
FI (4件)：
H01L21/28 301S ,  H01L21/90 D ,  H01L21/28 301B ,  H01L27/08 321F
Fターム (73件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104BB01 ,  4M104BB19 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD26 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104FF06 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104FF22 ,  4M104FF27 ,  4M104GG08 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH15 ,  5F033HH25 ,  5F033HH27 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK07 ,  5F033KK15 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033LL04 ,  5F033MM05 ,  5F033MM17 ,  5F033MM30 ,  5F033NN05 ,  5F033NN29 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ80 ,  5F033QQ82 ,  5F033RR04 ,  5F033WW07 ,  5F033XX09 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BC01 ,  5F048BF01 ,  5F048BF02 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048DA25
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • US 6,972,470 B2
審査官引用 (6件)
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