特許

J-GLOBAL ID：200903099518350376

半導体装置およびその製造方法

発明者： 土 屋 義 規 ,  小 山 正 人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-071350
公開番号（公開出願番号）：特開2007-250781
出願日： 2006年03月15日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】n型MISFETのソース・ドレインのコンタクト抵抗を低減することを可能にする。【解決手段】p型半導体基板1,3と、半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜5と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極6と、第1ゲート電極の両側の半導体基板に設けられたn型拡散層10と、このn型拡散層上に形成され真空仕事関数が4.6eV以上である第1金属元素を主成分とするシリサイド層182と、n型拡散層とシリサイド層との界面に形成された、スカンジウム族元素及びランタノイドの群から選択された少なくとも一種類の第2金属元素を含む層202とを有するソース・ドレイン領域と、を備え、前記第2金属元素を含む層は、最大面密度が1x1014cm-2以上である偏析層を含み、前記偏析層は1x1014cm-2以上の面密度を有する領域の厚さが1nmより薄い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

p型半導体基板と、 前記半導体基板上に設けられた第1ゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に設けられた第1ゲート電極と、 前記第1ゲート電極の両側の前記半導体基板に設けられたn型拡散層と、このn型拡散層上に形成され真空仕事関数が4.6eV以上である第1金属元素を主成分とするシリサイド層と、前記n型拡散層と前記シリサイド層との界面に形成された、スカンジウム族元素及びランタノイドの群から選択された少なくとも一種類の第2金属元素を含む層と有する第1ソース・ドレイン領域と、 を備え、前記第2金属元素を含む層は、最大面密度が1x1014cm-2以上である偏析層を含み、前記偏析層は1x1014cm-2以上の面密度を有する領域の厚さが1nmより薄いことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/786

FI (10件)：

H01L29/78 301P ,  H01L27/08 321F ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/08 321E ,  H01L29/78 301S ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 617M

Fターム (114件)：

4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD02 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104DD91 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH15 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB10 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB15 ,  5F048BC01 ,  5F048BC15 ,  5F048BC18 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F110AA03 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG12 ,  5F110GG28 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK05 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK40 ,  5F110NN62 ,  5F110QQ08 ,  5F140AA10 ,  5F140AB03 ,  5F140AC36 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE10 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF18 ,  5F140BF21 ,  5F140BF28 ,  5F140BG08 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG34 ,  5F140BG37 ,  5F140BG43 ,  5F140BG45 ,  5F140BH06 ,  5F140BH22 ,  5F140BH45 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ18 ,  5F140BJ30 ,  5F140BK13 ,  5F140BK18 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CF04 ,  5F140CF07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電界効果トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-251534   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (5件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-240846   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-066358   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-328207   出願人：シャープ株式会社
• 半導体の接続領域の接触抵抗を低減する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-301664   出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ, コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-305029   出願人：富士通株式会社