特許
J-GLOBAL ID：200903006436648875
絶縁膜の形成方法およびゲート絶縁膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-261042
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103688
出願日： 2002年09月06日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】基板との界面付近における格子構造の歪みや結晶欠陥、さらには凹凸の発生なく、単結晶シリコンからなる基板上に金属酸化物を用いた絶縁膜を形成する方法を提供する。【解決手段】単結晶シリコンからなる基板の処理表面に第1反応物を吸着させる第1工程(ステップS6)と、基板の処理表面に酸素を含む第2反応物を吸着させる第2工程(ステップS7)とを繰り返し行うことで、基板上に第1反応物に含有された物質の酸化物からなる絶縁膜を形成する方法であって、第1工程では、第1反応物として、金属を含有する反応物(Me含有反応物)とシリコンを含有する反応物(Si含有反応物)とを処理表面に吸着させると共に、工程の繰り返しの進行にともない、Si含有反応物の割合を段階的に減少させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
単結晶シリコンからなる基板の処理表面に第1反応物を吸着させる第1工程と、前記基板の処理表面に酸素を含む第2反応物を吸着させる第2工程とを繰り返し行うことで、前記基板上に第1反応物に含有された物質の酸化物からなる絶縁膜を形成する方法であって、
前記第1工程では、
前記第1反応物として、金属を含有する反応物とシリコンを含有する反応物とを前記処理表面に吸着させると共に、
工程の繰り返しの進行にともない、前記シリコンを含有する反応物の割合を段階的に減少させる
ことを特徴とする絶縁膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/318 C
, H01L29/78 301G
5F058BA06
, 5F058BD02
, 5F058BD04
, 5F058BD05
, 5F058BF23
, 5F058BF27
, 5F058BF54
, 5F058BF63
, 5F058BJ01
, 5F058BJ10
, 5F140AA00
, 5F140AA01
, 5F140AA24
, 5F140AA39
, 5F140BA01
, 5F140BD02
, 5F140BD05
, 5F140BD11
, 5F140BD12
, 5F140BD13
, 5F140BD15
, 5F140BD16
, 5F140BE01
, 5F140BE02
, 5F140BE09
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (12件)
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