炭化珪素単結晶の製造装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-030830
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234296
出願日： 2002年02月07日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：

【要約】【課題】不純物パーティクルが種結晶表面に付着して結晶品質が劣化するのを防止することができる炭化珪素単結晶の製造装置を提供する。【解決手段】ルツボ4内に種結晶となる炭化珪素単結晶基板10を配置し、ルツボ4内に、少なくともSiを含有するガスとCを含有するガスとを含む混合ガスを導入することにより、高温雰囲気下で炭化珪素単結晶基板10から炭化珪素単結晶16を成長させる。混合ガス導入管12の開口部からルツボ4内の炭化珪素単結晶基板10までの混合ガスの流路は、高融点かつ発塵性のない保護部材15a,15bで覆われるとともに、混合ガス導入管12での発塵性のある部位12aの内壁部分には高融点かつ発塵性のない保護部材15cが配置されている。

請求項（抜粋）：

反応容器(4)内に種結晶となる炭化珪素単結晶基板(10)を配置し、前記反応容器(4)内に、少なくともSiを含有するガスとCを含有するガスとを含む混合ガスを導入することにより、高温雰囲気下で前記炭化珪素単結晶基板(10)から炭化珪素単結晶(16)を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、少なくとも混合ガス導入管(12)の開口部から反応容器(4)内の炭化珪素単結晶基板(10)までの混合ガスの流路を、高融点かつ発塵性のない保護部材(15a,15b,15c,20,30)で囲ったことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/42 , C30B 29/36

FI (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/42 , C30B 29/36 A

Fターム (29件)：

4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DB04 , 4G077DB07 , 4G077EG25 , 4G077HA06 , 4G077TA04 , 4G077TB02 , 4G077TD03 , 4G077TD05 , 4G077TG06 , 4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA16 , 4K030BA37 , 4K030BB02 , 4K030CA05 , 4K030EA01 , 4K030KA47 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC16 , 5F045AF02 , 5F045BB12 , 5F045BB15 , 5F045DP05 , 5F045EB02 , 5F045EC05 , 5F045EK02

引用特許：

審査官引用 (7件)

CVDによって目的物をエピタキシアル成長させる装置と方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-504350 出願人：エービービーリサーチリミテッド, オクメティックリミテッド
低欠陥密度炭化ケイ素を成長させる方法及び装置、並びに得られる物質
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-561823 出願人：ザフォックスグループ,インコーポレイティド
結晶成長装置および結晶成長法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-327749 出願人：松下電器産業株式会社

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