特許
J-GLOBAL ID：200903081597206505

ウェハ研磨装置用テーブル、半導体ウェハの研磨方法、半導体ウェハの製造方法、積層セラミックス構造体

発明者：
奥田 裕次

奥田 裕次 について

, 
神保 直幸

神保 直幸 について


出願人/特許権者：
イビデン株式会社

イビデン株式会社 について


代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-168523
公開番号（公開出願番号）：特開2000-354957
出願日： 1999年06月15日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】 製造に困難を伴わないにもかかわらず、耐熱性、耐熱衝撃性、耐摩耗性等に優れ、しかも半導体ウェハの大口径化・高品質化に対応可能なウェハ研磨装置用テーブルを提供すること。【解決手段】 このテーブル2は、ウェハ研磨装置1の一部を構成する。ウェハ保持プレート6の保持面6aに保持されている半導体ウェハ5は、テーブル2の研磨面2aに摺接される。このテーブル2は、珪化物セラミックスまたは炭化物セラミックスからなる基材11を複数枚積層した状態で、各基材11同士を接着層14を介して接合したものである。基材11の接合界面には、内部に流体Wを流すことが可能な高熱伝導材料製の管16が配設されている。
請求項（抜粋）：
ウェハ研磨装置を構成しているウェハ保持プレートの保持面に保持されている半導体ウェハが摺接される研磨面を有するテーブルにおいて、珪化物セラミックスまたは炭化物セラミックスからなる基材を複数枚積層した状態で、各基材同士が接着層を介して接合され、かつ前記基材の接合界面に、内部に流体を流すことが可能な高熱伝導材料製の管が配設されているウェハ研磨装置用テーブル。
IPC (3件)：
B24B 37/04 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 622
FI (3件)：
B24B 37/04 A ,  B24B 37/00 J ,  H01L 21/304 622 R
Fターム (5件)：
3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058AC04 ,  3C058CB01 ,  3C058DA17
引用特許：
審査官引用 (10件)
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