特許
J-GLOBAL ID:200903081754055109

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-089365
公開番号(公開出願番号):特開2005-275072
出願日: 2004年03月25日
公開日(公表日): 2005年10月06日
要約:
【課題】高エネルギー線、特に電子線、X線あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特に電子線使用時における真空中PED特性、ラインエッジラフネスおよびパターン形状を同時に満足し、またEUV光使用時における感度、溶解コントラストに優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)少なくとも1つの分岐部を介してポリマー鎖を3つ以上有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大するポリマー、(B)活性光線または放射線の作用により酸を発生する化合物、及び、(C)界面活性剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。
請求項(抜粋):
(A)少なくとも1つの分岐部を介してポリマー鎖を3つ以上有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大するポリマー、 (B)活性光線または放射線の作用により酸を発生する化合物、及び、 (C)界面活性剤 を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (3件):
G03F7/039 ,  G03F7/032 ,  H01L21/027
FI (3件):
G03F7/039 601 ,  G03F7/032 ,  H01L21/30 502R
Fターム (17件):
2H025AA01 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC04 ,  2H025FA17
引用特許:
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (11件)
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