特許
J-GLOBAL ID：200903081838239310
増幅装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-012537
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216307
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 熱暴走を防止することができ、良好な高周波特性を得ることができる増幅装置を提供する。【解決手段】 多層基板1には、レジスト層2及びこのレジスト層2上に形成された厚さが約70〜100μmの第4導体層3dが設けられている。更に、第4導体層3d上には樹脂製の第3誘電体層4cが積層されている。第1導体層3a上には、半導体チップ11が、直接又は銅合金等の金属板からなるマウント部8を介して、載置されている。また、多層基板1には、半導体チップ11の直下に形成され第1導体層3aから第4導体層3dまで達するサーマルビア5が形成されている。更に、多層基板1の端面には、サーマルビア5の金属メッキ層5bに接続された接地・放熱用端面電極6が形成されている。
請求項（抜粋）：
多層基板と、この多層基板上に設けられ増幅回路を備えた半導体チップと、を有する高周波増幅装置において、前記多層基板は、厚さが70μm以上の導体層と、この導体層上に形成された樹脂層と、前記半導体チップの直下で表面から前記導体層まで達するサーマルビアと、端面に形成され前記導体層に接続された接地・放熱用端面電極と、を有することを特徴とする増幅装置。
IPC (2件)：
H01L 23/36
, H01L 23/12 301
H01L 23/36 C
, H01L 23/12 301 J
5F036AA01
, 5F036BB08
, 5F036BB21
