特許
J-GLOBAL ID：200903003819176749
膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-205945
公開番号（公開出願番号）：特開2002-020688
出願日： 2000年07月06日
公開日（公表日）： 2002年01月23日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、塗膜の比誘電率の温度依存性が小さく、PCT(Pressure Cooker Test)後の比誘電率変化が少なく、かつ塗膜の機械的強度に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。【解決手段】 (A)下記一般式(1)、(2)、(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種の化合物を、(B)窒素オニウム塩化合物の存在化で加水分解する事を特徴とする膜形成用組成物の製造方法。Ra(Si)(OR1)4-a・・・・・(1)Si(OR2)4・・・・・・(2)R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c・・・・・(3)(式中Rは水素原子、フッ素原子、又は一価の有機基、R1〜R6は一価の有機基、R7は酸素原子、フェニレン基又は-(CH2)n-、aは1〜2の整数、b、cは0〜2の数、dは0又は1、nは1〜6の整数を示す。)
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(1)で表される化合物、下記一般式(2)で表される化合物および下記一般式(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を、RaSi(OR1)4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)Si(OR2)4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。) R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c ・・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、bおよびcは同一または異なり、0〜2の数を示し、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕(B)窒素オニウム塩化合物の存在下で加水分解することを特徴とする膜形成用組成物の製造方法。
IPC (3件)：
C09D183/04
, C09D183/02
, C09D183/14
C09D183/04
, C09D183/02
, C09D183/14
4J038DL021
, 4J038DL031
, 4J038DL041
, 4J038DL161
, 4J038GA01
, 4J038GA02
, 4J038GA03
, 4J038GA06
, 4J038GA07
, 4J038GA08
, 4J038GA12
, 4J038GA13
, 4J038JA19
, 4J038JA20
, 4J038JA22
, 4J038JA26
, 4J038JA27
, 4J038JA33
, 4J038JA43
, 4J038JA56
, 4J038JB01
, 4J038JB11
, 4J038JB13
, 4J038JB25
, 4J038JB29
, 4J038JB30
, 4J038JC17
, 4J038KA03
, 4J038KA06
, 4J038LA03
, 4J038MA08
, 4J038MA10
, 4J038NA11
, 4J038NA21
, 4J038PA19
, 4J038PB09
