特許
J-GLOBAL ID：200903092680526718

絶縁膜形成用組成物、絶縁膜形成用組成物の製造方法、絶縁膜およびその形成方法

発明者：
服部 清太郎

服部 清太郎 について

, 
秋山 将宏

秋山 将宏 について

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塩田 淳

塩田 淳 について

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黒澤 孝彦

黒澤 孝彦 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


代理人 (3件)： 大渕 美千栄 ,  布施 行夫 ,  井上 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-138793
公開番号（公開出願番号）：特開2005-154723
出願日： 2004年05月07日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】 低比誘電率、弾性率等に優れた層間絶縁膜を形成できる絶縁膜形成用組成物の製造方法を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)シラン化合物及び(2)含窒素化合物を水の存在下で加水分解、縮合後、少なくとも1種の疎水性付与シラン化合物を加え、さらに、加水分解、縮合することを特徴とする、絶縁膜形成用組成物の製造方法。Si(OR)4、(1)(式中、Rは1価の有機基)(X1X2X3X4N)aY、(2)(式中、X1,X2,X3,X4は各々水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、ヒドロキシアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、Yはハロゲン原子、1〜4価のアニオン性基、aは1〜4の整数)【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
ゼオライトのMFI構造を有するシリカプレカーサを含み、 前記MFI構造を構成するシロキサンの10員環によって形成される孔内に含窒素化合物が存在する、絶縁膜形成用組成物。
IPC (3件)：
C08G77/18 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768
FI (3件)：
C08G77/18 ,  H01L21/312 C ,  H01L21/90 Q
Fターム (54件)：
4J038DL02 ,  4J038DL031 ,  4J038HA216 ,  4J038HA446 ,  4J038HA556 ,  4J038JA17 ,  4J038JA25 ,  4J038JA32 ,  4J038JA55 ,  4J038JB01 ,  4J038JB12 ,  4J038JC32 ,  4J038KA06 ,  4J038KA08 ,  4J038KA09 ,  4J038NA21 ,  4J246AA03 ,  4J246AA11 ,  4J246AB05 ,  4J246BA26X ,  4J246BA260 ,  4J246BB02X ,  4J246BB020 ,  4J246BB141 ,  4J246CA230 ,  4J246CA24X ,  4J246CA330 ,  4J246CA400 ,  4J246CA460 ,  4J246FA081 ,  4J246FA131 ,  4J246FA371 ,  4J246FB211 ,  4J246FB271 ,  4J246GA01 ,  4J246GB15 ,  4J246GC01 ,  4J246GC16 ,  4J246GC26 ,  4J246GC53 ,  4J246GD08 ,  4J246HA63 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ85 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS21 ,  5F033XX24 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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