特許
J-GLOBAL ID：200903081969910530

導電性セラミックス焼結体及びスパッタリングターゲット並びにその製造方法

発明者：
山内 正一

山内 正一 について

, 
渋田見 哲夫

渋田見 哲夫 について


出願人/特許権者：
東ソー株式会社

東ソー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-047778
公開番号（公開出願番号）：特開2007-223852
出願日： 2006年02月24日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：
【課題】スパッタリングによる成膜の際、長時間に亘ってアーキングの発生が少ないスパッタリングターゲット及びそれに用いられる導電性セラミックス焼結体を提供する。また、そのような焼結体を容易に得ることが可能な製造方法を提供する。【解決手段】原料粉末からなる成形体を電磁波加熱によって焼結することにより、焼結粒径が0.5μm以上1μm未満、かつ、焼結密度が98%以上の導電性セラミックス焼結体や、焼結粒径が0.5μm以上2μm以下で、厚さ方向の密度差が1%以下の導電性セラミックス焼結体を得ることが可能となる。このような焼結体をターゲット材として用いることにより、長時間に亘ってアーキングの発生が少ない、機械的強度の高い優れたスパッタリングターゲットを得ることができる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
焼結粒径が0.5μm以上1μm未満であり、焼結体全体の平均焼結密度が相対密度で98%以上であることを特徴とする導電性セラミックス焼結体。
IPC (3件)：
C04B 35/00 ,  C23C 14/34 ,  H01B 5/02
FI (3件)：
C04B35/00 J ,  C23C14/34 A ,  H01B5/02 Z
Fターム (19件)：
4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA36 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA04 ,  4G030GA04 ,  4G030GA22 ,  4G030GA24 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC24 ,  5G307CA07
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特許第3457969号公報
  • 特開平3-207858号公報
審査官引用 (9件)
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