特許
J-GLOBAL ID：200903068836039490
ガラスセラミック基板およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-087702
公開番号（公開出願番号）：特開2005-203723
出願日： 2004年03月24日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：
【課題】 ガラスを添加したフェライトペーストを塗布して熱膨張係数の異なるフェライト層とガラスセラミック絶縁層とを同時焼成していたため、応力発生によりフェライト層の透磁率が低下していた。【解決手段】 ガラスセラミック絶縁層6が複数積層された絶縁基体1の内層に、ガラスセラミック絶縁層6とマイクロ波により同時焼成され、内部にコイル用導体が埋設されたガラスセラミック絶縁層6と同じ大きさのフェライト層2が、ガラスセラミック絶縁層6との間に絶縁層4,焼結金属層5の少なくとも1種からなる厚みが10μm以上の介在層を介在させて形成されており、フェライト層2はガラスセラミック絶縁層6のガラス,フィラーより熱膨張係数が高く、絶縁層4はガラスセラミック絶縁層6より熱膨張係数が高いガラスおよびフェライト層2のフェライトと同じフェライトを含有し、焼結金属層5は所定の金属,ガラスを含有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ガラスおよびフィラーからなるガラスセラミック絶縁層が複数層積層されて成る絶縁基体の内層に、前記ガラスセラミック絶縁層と同時焼成されて形成されるとともに内部にコイル用導体が埋設された、前記ガラスセラミック絶縁層と同じ大きさのフェライト層が、前記ガラスセラミック絶縁層との間に絶縁層および焼結金属層の少なくとも1種からなる厚みが10μm以上の介在層を介在させて形成されているガラスセラミック基板であって、前記フェライト層は、前記ガラスセラミック絶縁層のガラスおよびフィラーよりも熱膨張係数が高く、前記絶縁層は、前記ガラスセラミック絶縁層よりも熱膨張係数が高いガラスおよび前記フェライト層に含有されるフェライトと同じフェライトを含有し、前記焼結金属層は、Cu,Ag,Au,Pt,Ag-Pd合金およびAg-Pt合金のうちの少なくとも1種の金属およびガラスを含有していることを特徴とするガラスセラミック基板。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01F17/04 F
, H01F41/02 D
, C04B35/64 G
5E070AA01
, 5E070AA05
, 5E070AB04
, 5E070BB01
, 5E070CB02
出願人引用 (3件)
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LCフィルタ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-200496
出願人：株式会社住友金属セラミックス
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低温焼成多層セラミック回路基板
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-200497
出願人：株式会社住友金属セラミックス
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多層基板の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-323636
出願人：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー
審査官引用 (16件)
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