特許
J-GLOBAL ID：200903082152212501
表示装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
脇 篤夫
, 鈴木 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-061116
公開番号（公開出願番号）：特開2006-243525
出願日： 2005年03月04日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】nチャネルTFTによる画素回路において高品質な画像表示を可能とするとともに、コストダウンや歩留まり向上を可能とする。【解決手段】 画素回路は、有機EL素子と、1個の保持容量と、サンプリングトランジスタ、ドライブトランジスタ、スイッチングトランジスタ、第1及び第2の検知トランジスタからなる5個のNチャネル薄膜トランジスタとで構成する。そしてこの画素回路は、ドライブトランジスタの閾値電圧の変動と有機EL素子の経時劣化を補償する保持容量のブートストラップ機能(特性変動補償機能)を備え、電流駆動型の有機EL素子のI-V特性が経時変化やドライブトランジスタの閾値電圧変動を補償する。その上で、サンプリングトランジスタの導通制御を行う走査線(サンプリングトランジスタのゲートラインWSL)を、所定行数離れた行の画素回路の第1の検知トランジスタT4のゲートラインとして共用する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
信号線と所要数の走査線が交差する部分に形成される画素回路がマトリクス状に配置された画素アレイを有する表示装置であって、
各画素回路は、有機エレクトロルミネッセンス素子と、保持容量と、サンプリングトランジスタ、ドライブトランジスタ、第1,第2の検知トランジスタ、及びスイッチングトランジスタからなる5個のnチャネル薄膜トランジスタとを備え、
上記ドライブトランジスタのソースとゲートとの間に上記保持容量が接続され、
上記ドライブトランジスタのソースと所定のカソード電位との間に上記有機エレクトロルミネッセンス素子が接続され、
上記ドライブトランジスタのソースと第1の固定電位との間に上記第1の検知トランジスタが接続され、
上記ドライブトランジスタのゲートと第2の固定電位との間に上記第2の検知トランジスタが接続され、
上記ドライブトランジスタのゲートと上記信号線との間に上記サンプリングトランジスタが接続され、
上記ドライブトランジスタのドレインと所定の電源電位との間に上記スイッチングトランジスタが接続され、
上記サンプリングトランジスタ、上記第1,第2の検知トランジスタ、及び上記スイッチングトランジスタは、それぞれ対応する走査線によって導通制御されるように構成されているとともに、
各行の画素回路における上記サンプリングトランジスタを導通制御する走査線は、それぞれその行から所定行数だけ離れた他の行の画素回路における上記第1の検知トランジスタを導通制御する走査線と共用されていることを特徴とする表示装置。
IPC (2件)：
FI (9件)：
G09G3/30 K
, G09G3/30 H
, G09G3/30 J
, G09G3/20 611H
, G09G3/20 621A
, G09G3/20 622A
, G09G3/20 624B
, G09G3/20 641D
, G09G3/20 670J
3K007AB17
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007GA04
, 5C080AA06
, 5C080BB05
, 5C080DD03
, 5C080DD23
, 5C080DD27
, 5C080DD29
, 5C080EE28
, 5C080EE29
, 5C080FF11
, 5C080JJ02
, 5C080JJ03
, 5C080JJ04
, 5C080JJ05
出願人引用 (2件)
審査官引用 (6件)
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