撮像用半導体装置および撮像用半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：綿貫隆夫 , 堀米和春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-330727
公開番号（公開出願番号）：特開2009-152481
出願日： 2007年12月21日
公開日（公表日）： 2009年07月09日
要約：

【課題】安価で信頼性が高く高品質な撮像用半導体装置と、これを効率的に生産することが可能な撮像用半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】配線基板20と、配線基板20に搭載されると共に配線基板20に形成された接続パッド24とワイヤボンディング接続された撮像用半導体素子30と、撮像用半導体素子30の撮像面に、撮像領域の周囲を一周する配置で設けられた封止材40と、封止材40の内側空間が密閉空間38となるように封止材40に接着された透光板50と、封止材40の外周囲と配線基板20と透光板50の間を充てんする樹脂60と、を有していることを特徴とする撮像用半導体装置10。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

配線基板と、前記配線基板に搭載されると共に前記配線基板に形成された接続パッドとワイヤボンディング接続された撮像用半導体素子と、前記撮像用半導体素子の撮像面に、撮像領域の周囲を一周する配置で設けられた封止材と、前記封止材の内側空間が密閉空間となるように前記封止材に接着された透光板と、前記封止材の外周囲と前記配線基板と前記透光板の間を充てんする樹脂と、を有していることを特徴とする撮像用半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/28 , H01L 27/14 , H01L 21/56

FI (3件)：

H01L23/28 C , H01L27/14 D , H01L21/56 T

Fターム (21件)：

4M109AA01 , 4M109BA04 , 4M109CA21 , 4M109DB07 , 4M109GA01 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA10 , 4M118BA14 , 4M118CA31 , 4M118HA02 , 4M118HA11 , 4M118HA12 , 4M118HA20 , 4M118HA24 , 4M118HA30 , 5F061AA01 , 5F061BA04 , 5F061CA21 , 5F061CB12 , 5F061FA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-157715 出願人：大日本スクリーン製造株式会社

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-197393 出願人：京セラ株式会社
リードレス中空パッケージ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-214383 出願人：キヤノン株式会社
特開平4-261032

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