発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：樋口武尚
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-206357
公開番号（公開出願番号）：特開2003-023176
出願日： 2001年07月06日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：

【要約】【課題】屈折率の近い基板上に結晶層を形成することで、発光層からの光の取り出し効率が大きく発熱率が小さくて、光出力の高い発光素子を提供すること。【解決手段】発光素子1は、SiC基板2(n=2.5)上にGaN(n=2.4)の結晶層3をエピタキシャル成長させて発光層4を形成し、基板2側を上面、結晶層3側を底面として、結晶層3の底面に両方の電極5,6を設けている。さらに、SiC基板2の上面の四辺が斜めに削り取られて正四角錐台形になっている。発光層4からの光は、基板2との界面では屈折率がほぼ同じであるため光の閉じ込めがなく殆どの光がそのまま通過し、基板2と空気との界面においては基板2の上面の四辺が斜めに削り取られているために臨界角内に入る光の割合が多くなり、1次光の外部放射効率が増大し2次光以降の外部放射効率も増して、光の取り出し効率が向上し、外部量子効率を大幅に向上させられる。

請求項（抜粋）：

発光層と光取り出し部とを有する発光素子において、前記光取り出し部は略凸面形状であり、前記発光層と前記光取り出し部との間が略同等の屈折率であることを特徴とする発光素子。

Fターム (9件)：

5F041AA03 , 5F041AA04 , 5F041AA33 , 5F041CA13 , 5F041CA40 , 5F041CA76 , 5F041CB22 , 5F041DA04 , 5F041FF11

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平3-035568
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-010135 出願人：松下電子工業株式会社
半導体発光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-126341 出願人：シャープ株式会社

全件表示

前のページに戻る