電界効果トランジスタ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松山允之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-094147
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298043
出願日： 2002年03月29日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】 LSIの高集積化を目指し、性能を維持、向上させながら微細化を進めるには、ゲート絶縁膜として高誘電率で、かつSi界面特性を良好に保持できるものが要求される。【解決手段】本発明では、電界効果トランジスタのゲート絶縁膜3が、希土類元素から選ばれた1種類以上の金属、及び、酸素と窒素を含み、且つ、窒素がSi基板との界面、及び、バルク中に含有されている希土類酸窒化物からなる実質的に結晶質である誘電体層を含む点を特徴とし、さらに、これらの希土類酸窒化物を単結晶とすることによりトランジスタ特性をさらに高める点も特徴とする。

請求項（抜粋）：

Si半導体基板にソース及びドレイン領域を設け、そのソース及びドレイン領域間の前記Si基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を備えてなる電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁膜が、希土類元素から選ばれた1種類以上の金属、及び、酸素と窒素を含む実質的に結晶質であり、且つ、前記窒素が前記Si基板との界面、及び、バルク中に含有されている誘電体層を含むことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 21/318 , H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 21/318 C , H01L 29/78 301 G , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Fターム (36件)：

5F058BA20 , 5F058BC20 , 5F058BF20 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10 , 5F083EP02 , 5F083EP49 , 5F083EP50 , 5F083GA21 , 5F083HA08 , 5F083JA05 , 5F083PR21 , 5F083PR25 , 5F101BA01 , 5F101BA29 , 5F101BA35 , 5F101BH02 , 5F101BH12 , 5F140AA01 , 5F140AA24 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BE03 , 5F140BE09 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140CB04

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-187596 出願人：日本電気株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-052483 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-358063 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る