特許
J-GLOBAL ID：200903082884620033

複数レーザビームを用いたレーザ光学系とレーザアニーリング装置

発明者：
岡本 達樹

岡本 達樹 について

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小川 哲也

小川 哲也 について

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佐藤 行雄

佐藤 行雄 について

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西前 順一

西前 順一 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-335732
公開番号（公開出願番号）：特開2002-139697
出願日： 2000年11月02日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：
【要約】【課題】 レーザ熱処理方法において高性能の薄膜トランジスタを製造するのに必要な結晶性に優れた薄膜を形成するためのレーザ光照射プロファイルを制御する光学系を提供する。【解決手段】 レーザ発振器から放射されたレーザビームの断面強度分布を成形し、非晶質若しくは多結晶のケイ素膜上で線状のビーム形状を形成する光学系において、複数のレーザ発振器から放射される複数のレーザビームを強度分布成形手段にて、長軸方向の強度分布を均一にし、ビーム形状成形手段によって、基板上に形成された非晶質若しくは多結晶のケイ素膜上に線状のビーム形状を照射するようにに構成としたもので、必要な照射強度を保った状態で、照射面積を大きくでき、生産性が向上できるとともに、装置構成が単純になり、光学部品数を削減できる。
請求項（抜粋）：
レーザ発振器から放射されたレーザビームを、基板上に形成された非晶質若しくは多結晶の半導体膜表面に照射させる強度分布成形手段とビーム形状成形手段を含むレーザアニーリング用レーザ光学系であって、上記の強度分布成形手段が、複数のレーザ発振器からの複数のレーザビームが入射されて、半導体膜表面に照射される各照射レーザビームの強度分布をレーザビームの光軸に垂直な断面内の一方向については均一にし、上記ビーム形状成形手段が、各照射レーザビームの強度分布を該一方向の直交方向には急峻な狭幅にして、線状照射レーザビームにより上記の半導体膜を溶融し多結晶化するレーザ光学系。
IPC (5件)：
G02B 27/09 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/268 J ,  G02B 27/00 E ,  H01L 29/78 627 G
Fターム (27件)：
5F052BA01 ,  5F052BA04 ,  5F052BA07 ,  5F052BA14 ,  5F052BA15 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA01 ,  5F052DB02 ,  5F052JA01 ,  5F110AA16 ,  5F110AA30 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG47 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP07 ,  5F110PP29
引用特許：
審査官引用 (11件)
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