特許
J-GLOBAL ID:200903082908997451

サブマウントおよび半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-060764
公開番号(公開出願番号):特開2003-258360
出願日: 2002年03月06日
公開日(公表日): 2003年09月12日
要約:
【要約】【課題】 確実に半導体発光素子を取りつけることができるサブマウントを提供する。【解決手段】 サブマウント3は、基板4と、基板4の主表面4f上に形成されたはんだ層8とを備える。溶融前のはんだ層8の表面粗さRaは0.18μm以下である。好ましくは、はんだ層8の表面粗さRaが0.15μm以下である。さらに好ましくは、はんだ層8の表面粗さRaが0.10μm以下である。半導体装置1は、サブマウント3のはんだ層8上に搭載されたレーザダイオード2を備える。
請求項(抜粋):
サブマウント基板と、前記サブマウント基板の主表面上に形成されたはんだ層とを備え、溶融前の前記はんだ層の表面粗さRaは0.18μm以下である、サブマウント。
IPC (2件):
H01S 5/022 ,  H01L 33/00
FI (2件):
H01S 5/022 ,  H01L 33/00 N
Fターム (7件):
5F041AA41 ,  5F041DA03 ,  5F041DA34 ,  5F073EA29 ,  5F073FA15 ,  5F073FA22 ,  5F073FA30
引用特許:
審査官引用 (7件)
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