特許
J-GLOBAL ID：200903082960558440

液浸露光用積層構造、液浸露光方法、電子装置の製造方法及び電子装置

発明者：
羽根 博樹

羽根 博樹 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-217575
公開番号（公開出願番号）：特開2006-039129
出願日： 2004年07月26日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】 フォトレジスト層を露光対象とする液浸露光法において、フォトレジスト層における難溶化層の形成などによるレジスト形状異常の発生を抑制する。【解決手段】 フォトレジスト層3上に、このフォトレジスト層3の感光波長帯と少なくとも一部重複する透過光波長帯を有するレジスト保護層4を設け、レジスト保護層4を、フッ素系有機溶媒などの極性溶媒やアルカリ性水性溶媒にのみ溶解する構成として、フォトレジスト層3からの酸及び酸発生剤の流出を回避する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
露光用投影レンズと露光対象との間に高屈折率媒体を介在させて露光を行う液浸露光用積層構造であって、 上記露光対象が、フォトレジスト層であり、該フォトレジスト層上にレジスト保護層が形成され、 上記フォトフォトレジスト層の感光波長帯が、193nm以下の短波長領域とされ、 上記フォトレジスト層の感光波長帯と、上記レジスト保護層の透過光波長帯とが、少なくとも一部重複する構成とされ、 上記レジスト保護層が、直鎖状もしくは環状の脂肪族系構成単位を有する樹脂とされ、フッ素系有機溶媒及びアルカリ性水性溶媒にのみ溶解する構成とされたことを特徴とする液浸露光用積層構造。
IPC (4件)：
G03F 7/11 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/20 ,  H01L 21/027
FI (6件)：
G03F7/11 501 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 514E ,  H01L21/30 515D ,  H01L21/30 575
Fターム (17件)：
2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CB52 ,  2H025CC20 ,  2H025DA02 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  5F046AA28 ,  5F046CB24 ,  5F046JA22 ,  5F046PA07
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • USP 5,121,256(Jun 9,1992)
  • EP 0023 231 A1(04.02.1981)
審査官引用 (6件)
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