特許
J-GLOBAL ID:200903082961141739
半導体装置およびその作製方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-274603
公開番号(公開出願番号):特開2006-121059
出願日: 2005年09月21日
公開日(公表日): 2006年05月11日
要約:
【課題】 大面積のガラス基板上に薄膜からなる集積回路を形成した後、基板から剥離を行い、接触、好ましくは非接触でデータの受信または送信が可能な微小なデバイスを大量に効率よく作製する方法を提供することを課題とする。特に薄膜からなる集積回路は、非常に薄いため、搬送時に飛んでしまう恐れがあり、取り扱いが難しかった。【解決手段】本発明は、分離層に対して少なくとも異なる2種類の方法を用いてダメージ(レーザ光照射によるダメージ、エッチングによるダメージ、または物理的手段によるダメージ)を複数回与えることにより、基板から被剥離層を効率よく剥離する。また、剥離後のデバイスに反りを持たせることによって、個々のデバイスの取り扱いを容易とする。【選択図】 図4
請求項(抜粋):
第1の基板上に分離層を形成し、
前記分離層上に半導体素子を含む被剥離層を形成し、
前記分離層の一部に光を照射して前記分離層の一部における層内または界面に亀裂または穴を形成し、
前記亀裂または穴から前記分離層と反応する気体または液体を導入して分離層を除去して前記第1の基板と前記被剥離層とを分離し、
第2の基板に前記被剥離層を転置することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (10件):
H01L 27/12
, H01L 21/02
, H01L 21/336
, H01L 29/786
, H01L 21/20
, G06K 19/07
, G06K 19/077
, H01Q 1/38
, H01Q 23/00
, H01P 11/00
FI (9件):
H01L27/12 B
, H01L29/78 627D
, H01L29/78 626C
, H01L21/20
, G06K19/00 H
, G06K19/00 K
, H01Q1/38
, H01Q23/00
, H01P11/00 N
Fターム (90件):
5B035AA04
, 5B035BA05
, 5B035BB09
, 5B035CA23
, 5F110AA30
, 5F110BB04
, 5F110BB05
, 5F110BB20
, 5F110CC02
, 5F110CC05
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110DD17
, 5F110DD21
, 5F110DD30
, 5F110EE27
, 5F110GG02
, 5F110GG04
, 5F110GG13
, 5F110GG14
, 5F110GG15
, 5F110GG25
, 5F110HJ01
, 5F110NN02
, 5F110NN05
, 5F110NN27
, 5F110NN33
, 5F110NN71
, 5F110PP01
, 5F110PP03
, 5F110PP13
, 5F110PP29
, 5F110PP34
, 5F110PP35
, 5F110QQ16
, 5F110QQ28
, 5F152BB01
, 5F152BB02
, 5F152BB03
, 5F152BB08
, 5F152CC02
, 5F152CC03
, 5F152CC04
, 5F152CC05
, 5F152CD13
, 5F152CD15
, 5F152CD16
, 5F152CD17
, 5F152CE05
, 5F152CE14
, 5F152CE24
, 5F152CE45
, 5F152CE48
, 5F152CF18
, 5F152DD05
, 5F152DD07
, 5F152EE14
, 5F152FF03
, 5F152FF21
, 5F152FF29
, 5F152FF30
, 5F152FF36
, 5F152FG01
, 5F152FG03
, 5F152LP01
, 5F152LP06
, 5F152LP08
, 5F152LP09
, 5F152MM01
, 5F152MM02
, 5F152MM04
, 5F152MM11
, 5F152NN14
, 5F152NN16
, 5F152NN19
, 5F152NN20
, 5F152NP13
, 5F152NP14
, 5F152NQ03
, 5J021AA01
, 5J021AB04
, 5J021CA06
, 5J021JA08
, 5J046AA19
, 5J046AB11
, 5J046PA00
引用特許:
出願人引用 (6件)
-
半導体装置の作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-053737
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-079708
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
-
剥離方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-300371
出願人:セイコーエプソン株式会社
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審査官引用 (8件)
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