特許
J-GLOBAL ID：200903083384660256
窒化ガリウム系半導体デバイス
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-147049
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340576
出願日： 1998年05月28日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【目的】 GaN発光素子チップ(LD、LED)を基板の劈開面に沿って自然にスクライブすることができるようにすること。LDの場合は劈開面を共振器面とすること。【構成】 基板としてGaN自立単結晶を用いる。GaN基板に発光素子のGaN系結晶を積層すると基板と同方位の薄膜結晶が成長する。基板を{1-100}面で劈開することによって発光素子チップ分離することができる。LEDの場合は、三角形、平行四辺形、菱型、六角形チップとなる。LDの場合は劈開面が共振器となる平行四辺形あるいは矩形チップとなる。
請求項（抜粋）：
(0001)面窒化ガリウム単結晶基板と、窒化ガリウム単結晶基板の表面に積層されたGaN系半導体エピタキシャル薄膜と、単結晶基板に付けた電極と、エピタキシャル薄膜に付けた電極とを含み、側面の少なくとも2面は劈開面であることを特徴とする窒化ガリウム系半導体デバイス。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, H01L 21/205
, H01L 21/301
, H01L 33/00
H01S 3/18
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01L 21/78 U
