特許
J-GLOBAL ID：200903083439377222
III族窒化物結晶およびその成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-316956
公開番号（公開出願番号）：特開2007-119325
出願日： 2005年10月31日
公開日（公表日）： 2007年05月17日
要約：
【課題】結晶成長後の結晶成長面の転位密度が低いIII族窒化物結晶およびその成長方法を提供する。【解決手段】基板10上にIII族窒化物結晶11を成長させる方法であって、III族窒化物結晶11であるAlxGayIn1-x-yN結晶(0≦x、0≦y、x+y≦1)の成長の際に、AlxGayIn1-x-yN結晶に残留する転位の少なくとも一部をAlxGayIn1-x-yN結晶の結晶成長面に対して実質的に平行な方向に伝搬させて、AlxGayIn1-x-yN結晶の外周部に排出させることを特徴とするIII族窒化物結晶の成長方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にIII族窒化物結晶を成長させる方法であって、
前記III族窒化物結晶であるAlxGayIn1-x-yN結晶(0≦x、0≦y、x+y≦1)の成長の際に、前記AlxGayIn1-x-yN結晶に残留する転位の少なくとも一部を前記AlxGayIn1-x-yN結晶の結晶成長面に対して実質的に平行な方向に伝搬させて、前記AlxGayIn1-x-yN結晶の外周部に排出させることを特徴とするIII族窒化物結晶の成長方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38
, C30B 25/18
, H01L 21/205
C30B29/38 D
, C30B25/18
, H01L21/205
4G077AA03
, 4G077BE11
, 4G077BE15
, 4G077DB04
, 4G077DB08
, 4G077ED04
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077HA12
, 4G077TB02
, 4G077TB05
, 4G077TK01
, 4G077TK04
, 4G077TK06
, 4K030AA03
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030BA08
, 4K030BA38
, 4K030BB02
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA01
, 4K030FA10
, 5F045AA04
, 5F045AB18
, 5F045AC03
, 5F045AC12
, 5F045AC13
, 5F045AF04
, 5F045BB12
, 5F045CA09
, 5F045DA61
, 5F045DP07
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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