特許
J-GLOBAL ID：200903012395575965

GaN単結晶基板の製造方法及びGaN単結晶基板

発明者：
笠井 仁

笠井 仁 について

, 
元木 健作

元木 健作 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-276337
公開番号（公開出願番号）：特開2005-298319
出願日： 2004年09月24日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：
【課題】 (0001)ジャストでなくて(0001)からずれた結晶方位を有するオフ角のGaN単結晶自立基板をより低コストで作製すること。【解決手段】 オフ角の(111)GaAsウエハを下地基板として、その上にGaNを気相成長させると下地基板と同じオフ角で同じ方向に傾斜しているGaN結晶が成長する。また、オフ角度を有する(111)GaAs基板を下地基板として用い、その上に複数の窓を有するマスクを形成し、その上からGaN単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、オフ角度を有するGaN自立基板を作製してもよい。0.1 ゚〜25 ゚のオフ角をもつGaN結晶を製造することができる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
オフ角度を有する(111)GaAs基板を下地基板として用い、その上にGaN単結晶層を成長した後、下地基板を除去して、オフ角度を有するGaN自立基板を作製することを特徴とするGaN単結晶基板の製造方法。
IPC (3件)：
C30B29/38 ,  C30B25/18 ,  H01L33/00
FI (3件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  H01L33/00 C
Fターム (25件)：
4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB02 ,  4G077TC13 ,  4G077TC16 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK11 ,  5F041AA40 ,  5F041AA41 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65
引用特許：
出願人引用 (11件)
  • 特願平9-298300
  • 半導体ウェハ及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-336984   出願人：日立電線株式会社
  • 窒化物半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-285406   出願人：日亜化学工業株式会社
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審査官引用 (5件)
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