特許
J-GLOBAL ID：200903083530583978
半導体装置およびMIMキャパシタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-078012
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261455
出願日： 2005年03月17日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：
【課題】高精度の櫛型電極を有するMIMキャパシタを実現する。【解決手段】第1の層間絶縁膜中に埋設され、各々前記第1の層間絶縁膜中を相互に対向して連続的に延在し、櫛型キャパシタパターンの一部を構成する第1および第2の導体パターンと、前記第1の層間絶縁膜からビア絶縁膜を隔てて形成された第2の層間絶縁膜中に、それぞれ前記第1および第2の導体パターンに対応して埋設され、相互に対向して連続的に延在し、前記櫛型キャパシタパターンの一部を構成する第3および第4の導体パターンを含むMIMキャパシタにおいて、さらに前記ビア絶縁膜中に、前記第1および第3の導体パターンに対応して連続して延在し、前記第1および第3の導体パターンを連続的に接続する第5の導体パターンと、前記第2および第4の導体パターンに対応して連続して延在し、前記第2および第4の導体パターンを連続的に接続する第6の導体パターンとを埋設する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
多層配線構造中にMIMキャパシタを有する半導体装置であって、
前記多層配線構造は、
第1の層間絶縁膜中に埋設された第1の配線層と、
前記第1の層間絶縁膜上に第2の層間絶縁膜を介して形成された第3の層間絶縁膜と、
前記第3の層間絶縁膜中に埋設された第2の配線層と、
前記第2の層間絶縁膜中に形成され、前記第1の配線層と前記第2の配線層とを電気的に接続するビアプラグとよりなり、
前記第1の配線層は、前記第1の層間絶縁膜中に埋設され、各々前記第1の層間絶縁膜中を相互に対向して連続的に延在する第1および第2の導体パターンを含み、
前記第2の配線層は、前記第3の層間絶縁膜中に、それぞれ前記第1および第2の導体パターンに対応して埋設され、前記第3の層間絶縁膜中を、それぞれ前記第1および第2の導体パターンに対応して相互に対向して連続的に延在する第3および第4の導体パターンを含み、
さらに前記第2の層間絶縁膜中には、前記第2の層間絶縁膜中を、前記第1および第3の導体パターンに対応して連続して延在し、前記第1および第3の導体パターンを連続的に接続する第5の導体パターンと、前記第2の層間絶縁膜中を、前記第2および第4の導体パターンに対応して連続して延在し、前記第2および第4の導体パターンを連続的に接続する第6の導体パターンと、が埋設され、
前記第1および第2の導体パターン、前記第3および第4の導体パターン、および前記第5および第6の導体パターンは、MIMキャパシタを形成することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/768
H01L27/04 C
, H01L21/90 A
5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH18
, 5F033HH21
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033JJ11
, 5F033JJ18
, 5F033JJ19
, 5F033JJ21
, 5F033JJ32
, 5F033JJ33
, 5F033KK08
, 5F033KK11
, 5F033KK18
, 5F033KK21
, 5F033KK32
, 5F033KK33
, 5F033MM01
, 5F033MM02
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033NN34
, 5F033QQ09
, 5F033QQ25
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033VV10
, 5F038AC02
, 5F038AC04
, 5F038AC05
, 5F038AC06
, 5F038CD02
, 5F038CD14
, 5F038EZ08
, 5F038EZ20
出願人引用 (2件)
-
キャパシタ
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-253233
出願人：株式会社ルネサステクノロジ
-
半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2003-415716
出願人：NECエレクトロニクス株式会社
審査官引用 (5件)
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