特許
J-GLOBAL ID：200903083548385375

半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

発明者：
依田 剛

依田 剛 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-327020
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144216
出願日： 1999年11月17日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：
【要約】【課題】 配線が断線しにくい半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】 半導体装置は、電極12を有する半導体チップ10と、貫通穴22が形成された絶縁層20と、貫通穴22内で電極12上に設けられた導電層30と、導電層30上を通って絶縁層20上に形成された配線層40と、を含み、導電層30の上面と絶縁層20の上面との段差は、配線層40の厚み分以下である。
請求項（抜粋）：
電極を有する半導体素子と、前記半導体素子の前記電極が形成された面に設けられた、前記電極と電気的に接続してなる導電層と、前記導電層の周囲に形成されてなる絶縁層と、前記導電層に電気的に接続し、前記絶縁層上に形成されてなる配線層と、を有してなり、前記導電層の上面は、前記絶縁層の上面と、前記絶縁層の上面から前記配線層の厚み分上がった位置と、の間に形成されてなる半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/12 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60
FI (5件)：
H01L 21/56 E ,  H01L 23/12 L ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 604 H ,  H01L 21/92 604 E
Fターム (3件)：
5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CB13
引用特許：
審査官引用 (6件)
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