特許
J-GLOBAL ID：200903083766475505

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者：
石川 大

石川 大 について

, 
酒井 哲

酒井 哲 について

, 
平岩 篤

平岩 篤 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-179321
公開番号（公開出願番号）：特開2004-023008
出願日： 2002年06月20日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
【課題】基板とゲート絶縁膜との界面近傍における窒素濃度を必要以上に高くすることなく、ゲート絶縁膜中の窒素濃度を高める。【解決手段】基板をウェット酸化することによって、p型ウエルおよびn型ウエルのそれぞれの表面に膜厚5nm以下の酸化シリコン膜を形成した後、5%程度のNOガスを含む雰囲気中で基板を熱処理し、酸化シリコン膜中に窒素を導入することによって、酸窒化シリコン膜を形成する。続いて、基板を窒素プラズマ雰囲気中に曝すことによって、酸窒化シリコン膜中にさらに窒素を導入することにより、基板との界面近傍に第1のピーク濃度を有し、表面近傍に第2のピーク濃度を有する酸窒化シリコンからなるゲート絶縁膜を形成する。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
単結晶シリコンからなる半導体基板の主面上に、酸窒化シリコンからなる膜厚5nm以下のゲート絶縁膜を有するMISFETが形成された半導体集積回路装置であって、 前記ゲート絶縁膜中に含まれる窒素は、前記半導体基板と前記ゲート絶縁膜との界面近傍に第1のピーク濃度を有し、前記ゲート絶縁膜の表面近傍に第2のピーク濃度を有していることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (8件)：
H01L29/78 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/092 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108
FI (7件)：
H01L29/78 301G ,  H01L27/10 461 ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/04 C ,  H01L27/10 621C ,  H01L27/10 651 ,  H01L27/10 671Z
Fターム (115件)：
5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC10 ,  5F038AC15 ,  5F038AC18 ,  5F038DF05 ,  5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB16 ,  5F048BB17 ,  5F048BB18 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF01 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BG14 ,  5F048DA27 ,  5F083AD01 ,  5F083AD10 ,  5F083AD24 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083AD62 ,  5F083JA03 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR15 ,  5F083PR29 ,  5F083PR33 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083ZA06 ,  5F083ZA12 ,  5F140AA05 ,  5F140AA19 ,  5F140AA23 ,  5F140AB03 ,  5F140AB09 ,  5F140AC32 ,  5F140AC33 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD15 ,  5F140BE03 ,  5F140BE06 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE13 ,  5F140BE17 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF27 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG22 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG38 ,  5F140BG43 ,  5F140BG44 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ04 ,  5F140BJ06 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ10 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ16 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK29 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CE07
引用特許：
審査官引用 (9件)
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