半導体基板表面の絶縁膜の形成方法及びその形成装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：清水守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-164513
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016900
出願日： 1997年06月20日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】高温加熱を用いることなく、半導体基板の表面の絶縁膜の膜質および電気特性を制御良く改良することのできる半導体基板表面の絶縁膜の形成方法およびその形成装置を提供する。【解決手段】シリコン基板1表面を洗浄した後、1〜20nmの二酸化シリコン膜5を形成し、次いで、このシリコン基板1を0°C〜700°Cの温度に保った状態で電子衝撃により生成したプラズマに暴露することにより、絶縁膜中に窒素原子を含有せしめることにより絶縁膜6を改質し、良好な電気特性を得る。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に形成した絶縁膜を電子衝撃によって発生させたプラズマに暴露することを特徴とする半導体基板表面の絶縁膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 , H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/316 P , H01L 21/31 A

引用特許：

審査官引用 (7件)

プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-065812 出願人：日新電機株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-193781 出願人：富士通株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-020086 出願人：富士通株式会社

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