EUV光の放射方法、および前記EUV光を用いた感応基板の露光方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：上代哲司 , 神野直美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-277964
公開番号（公開出願番号）：特開2009-105006
出願日： 2007年10月25日
公開日（公表日）： 2009年05月14日
要約：

【課題】レーザービームを用いて従来よりもEUV光への高い変換効率を得ることができ、従来よりもデブリの発生量を少なくすることができ、低コストでEUV光を放射させる方法を提供する。【解決手段】ターゲット材料にプレパルスレーザービームを照射してプラズマを発生させた後、メインパルスレーザービームを照射してEUV光を放射させるダブルパルス照射法によるEUV光の放射方法であって、前記ターゲット材料が錫および錫化合物の少なくとも一方からなり、前記プレパルスレーザービームの照射により発生したプラズマのイオン密度が1×1016〜1×1019cm-3であり、且つ前記メインパルスレーザービームが赤外域のレーザービームであるEUV光の放射方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ターゲット材料にプレパルスレーザービームを照射してプラズマを発生させた後、メインパルスレーザービームを照射してEUV光を放射させるダブルパルス照射法によるEUV光の放射方法であって、前記ターゲット材料が錫および錫化合物の少なくとも一方からなり、前記プレパルスレーザービームの照射により発生したプラズマのイオン密度が1×1016〜1×1019cm-3であり、且つ前記メインパルスレーザービームが赤外域のレーザービームであることを特徴とするEUV光の放射方法。

IPC (4件)：

H05G 2/00 , H01L 21/027 , G03F 7/20 , H01S 3/00

FI (5件)：

H05G1/00 K , H01L21/30 531S , H01L21/30 515B , G03F7/20 521 , H01S3/00 B

Fターム (8件)：

4C092AA06 , 4C092AA17 , 5F046CA03 , 5F046DA01 , 5F046DB01 , 5F046DC01 , 5F046GC03 , 5F172ZZ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

先行パルスにより強化されたレーザ生成プラズマEUV光源
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-094892 出願人：ノースロップ・グラマン・コーポレーション

審査官引用 (6件)

レーザ生成プラズマに基づく短波長放射線の効率的な生成のための方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-072876 出願人：イクストリーメテクノロジースゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
レーザ生成プラズマ方式極端紫外光光源
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-020857 出願人：ウシオ電機株式会社, ギガフォトン株式会社, 株式会社小松製作所
極端紫外光源装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-103975 出願人：ギガフォトン株式会社

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